Quan sát thực nghiệm về quá trình phun điện tích không bay hơi và sự oxi hóa-khử phân tử trong fullerenes C60 và C70 trong thiết bị loại EEPROM
Tóm tắt
Từ khóa
#giao diện phân tử #CMOS #fullerenes #oxi hóa-khử #phun điện tích #EEPROM #cảm biến hóa học #CνMOSTài liệu tham khảo
[5] There is a numerical discrepancy in the VF extraction with [3]. In our previous work [3], tunneling oxide thickness was measured in as 2–3 nm using 3 wavelength Rudolph Ellipsometer. The calculations were done using 2 nm tunnel oxide. Currently, better measurement using a spectroscopic ellipsometer shows that the oxide is 2.7 nm for the C60 experiments and 2.4 nm for the C70 experiments. This does not disturb our arguments that the injections occur into molecular levels of the fullerenes since the different tunneling oxide thickness just scales VF to a different value. This VF is same for all devices with the same fullerene when the same tunnel oxide thickness is used for VF extraction.
Ganguly, 2004, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 789, N16.3.1