Sự hình thành tinh thể của silicon carbide đa tinh thể trong quá trình lắng đọng hơi hóa học

Silicon carbide đa tinh thể được lắng đọng từ methyltrichlorosilane trong các phản ứng lạnh và nóng, trên các lớp bề mặt SiC (100) được hình thành trên các wafer Si (100). Các giai đoạn ban đầu của quá trình đã được nghiên cứu bằng kính hiển vi điện tử sau thời gian lắng đọng tương đối ngắn. Các đặc điểm bề mặt submicron đã hình thành với một hướng tinh thể cụ thể so với nền tảng, trong đó các mặt phẳng {111} trong nền β-SiC trùng hợp với các mặt phẳng {0001} trong các đặc điểm α-SiC. Những đặc điểm α-SiC này chỉ xảy ra trên các cặp song sinh tại các mặt phẳng {111} của nền β-SiC. Điều này chứng tỏ rằng sự hình thành hạt dưới các điều kiện này được kiểm soát bởi các khuyết tật trên nền. Sự ô nhiễm bề mặt và cấu hình của phản ứng cũng đã có những ảnh hưởng đáng kể đến quá trình hình thành.