Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Cải thiện Tính Chất Nhiệt Điện của Silicon Polycrystalline Mạnh Mẽ Khi Tách Biệt Giai Đoạn Thứ Hai
Tóm tắt
Chúng tôi báo cáo nghiên cứu về tính chất nhiệt điện của silicon polycrystalline ôxít cách điện bị pha tạp boron, trong đó xảy ra một chế độ mà cả hệ số Seebeck và độ dẫn điện đều tăng. Điều này dẫn đến một hệ số công suất P là 13 mW K-2 m-1. Chúng tôi đề xuất rằng các giá trị P cao như vậy có thể được xác định bởi bộ lọc năng lượng adiabatic xảy ra tại các biên hạt được trang trí bởi boron tách biệt.
Từ khóa
#Silicon polycrystalline #tính chất nhiệt điện #hệ số Seebeck #độ dẫn điện #tách biệt giai đoạn thứ hai #bộ lọc năng lượng adiabaticTài liệu tham khảo
A. I. Hochbaum, R. K. Chen, R. D. Delgado, W. J. Liang, E. C. Garnett, M. Najarian, A. Majumdar, and P. D. Yang, Nature 451, 163 (2008); A. I. Boukai, Y. Bunimovich, J. Tahir- Kheli, J. K. Yu, W. A. Goddard, and J. R. Heath, ibid., 451, 168(2008).
A.F. Ioffe, Semiconductor Thermoelements and Thermoelectric Cooling, (Infosearch Ltd., London, 1957), p. 29.
T. H. Geballe and G. W. Hull, Phys. Rev. 98, 940 (1955).
W. Fulkerson, J. P. Moore, R. K. Williams, R. S. Graves, and D. L. McElroy, Phys. Rev. 167, 765 (1968).
G. A. Slack and M. A. Hussain, J. Appl. Phys. 70, 2694 (1991).
L. Weber and E. Gmelin, Appl. Phys. A 53, 136 (1991).
M. E. Brinson and W. Dunstant, J. Phys. C 3, 483 (1970).
H. Ikeda and F. Salleh, Appl. Phys. Lett. 96, 012106 (2010).
G. Masetti, M. Severi, and S. Solmi, IEEE Trans. Electron Dev. 30, 764 (1983).
X. Luo, S. B. Zhang, and S. H. Wei, Phys. Rev. Lett. 90, 026103 (2003).
G. Chen, Nanoscale Energy Transport and Conversion, (Oxford University Press, Oxford, 2005), p. 252.
D. Chattopadhyay and H. J. Queisser, Rev. Mod. Phys. 53, 745 (1981).
S. Solmi, E. Landi, and F. Baruffaldi, J. Appl. Phys. 68, 3250 (1990).
S. V. Faleev and F. Leonard, Phys. Rev. B 77, 214304 (2008).