Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tăng cường độ bám dính của Mo trên kính với các lớp trung gian Cr cho các thiết bị phim mỏng đồng indium diselenide
Tóm tắt
Một yếu tố quan trọng của các tế bào quang điện màng mỏng đồng indium diselenide (CIS) và đồng indium gallium diselenide (CIGS) hiện nay là việc sử dụng tiếp điểm Mo trên kính soda lime (SGL). Do những vấn đề trong quá trình chuẩn bị bề mặt, nhiệt độ gia công cao, và sự không khớp giữa các hệ số giãn nở nhiệt, độ bám dính của Mo với kính soda lime có thể không ổn định. Cũng có lợi cho quá trình này là sự khuếch tán dễ dàng của Na trong kính vào lớp hấp thụ. Chúng tôi báo cáo về việc sử dụng các lớp trung gian Cr mỏng để cải thiện độ bám dính tại giao diện Mo/kính. Các lớp phim đã được ủ dưới chân không trong điều kiện quá trình thông thường. Độ bám dính là tuyệt vời và khá đồng nhất cho các lớp Mo có lớp trung gian Cr từ 50 đến 800 Å so với các mẫu kiểm soát không có Cr. Dữ liệu Quang phổ Photoelectron X-ray (XPS) cho thấy sự liên kết CrO tại giao diện kính và liên kết kim loại Cr tại giao diện Cr Mo. Dữ liệu Phổ Khối Ion Thứ cấp (SIMS) cho các lớp phim Mo/Cr cho thấy sự khuếch tán của Na trong toàn bộ lớp Mo giống như các mẫu có Mo đơn. Độ dẫn điện của các lớp phim đã được đo là 11 µohms-cm, gấp đôi so với vật liệu khối là 5.7 µohms-cm. Các lớp phim CIGS sau đó đã được tạo ra để so sánh với các lớp phim được tạo ra trên các nền chỉ có Mo.
Từ khóa
#đồng indium diselenide #Mo #kính soda lime #lớp trung gian #độ bám dínhTài liệu tham khảo
D.W. Hoffman, Thin Solid Films, 107, 353–358, (1983).
R. J. Matson, et al, Solar Cells, 11, 301–305, (1984).
J. Scofield, A. Duda, D. Albin, B. L. Ballard, P. K. Predecki, Thin Solid Films, 260, 2631, 1995.
M. Bodegard,. Hedstrom, K. Granath, A. Rockett, L. Stolt, European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (1995).
J. R. Tuttle et al, Progress in Photovoltaics: Research and Applications, 3, 235–238, (1995).
Miguel A. Contreras, et al, 1994 First World Conference on Photovoltaic Energy Conversion Conference Record of the 24th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 1, 68, 1995.
J. Scofield, S. Asher, D. S. Albin, J. Tuttle, M. Contreras, A. Tennant, D. Niles, R. Reedy, and R. Noufi, 1994 First World Conference on Photovoltaic Energy Conversion onference Record of the 24th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 1, 164, 1995.
J. A. Thorton, D. W. Hoffman, Thin Solid Films, 171, 5–31, 1989.
T. J. Vink, J. B. A. D. vonZon, J. Vac. Sci. Technol. A, 9, 124, 1991.