Các điện cực trong suốt mới nổi dựa trên lớp mỏng của ống nano carbon, graphene và cấu trúc nano kim loại
Tóm tắt
Các điện cực trong suốt là một thành phần cần thiết trong nhiều thiết bị hiện đại như màn hình cảm ứng, LCD, OLED và pin năng lượng mặt trời, tất cả đều đang có nhu cầu gia tăng. Truyền thống, vai trò này đã được phục vụ tốt bởi các oxit kim loại bị pha tạp, trong đó phổ biến nhất là oxit thiếc indium, hay còn gọi là ITO. Gần đây, những tiến bộ trong nghiên cứu vật liệu nano đã mở ra cánh cửa cho các vật liệu dẫn điện trong suốt khác, mỗi loại có những đặc tính độc đáo. Những vật liệu này bao gồm CNTs, graphene, dây nano kim loại và lưới kim loại có thể in. Bài báo tổng quan này sẽ khám phá các tính chất vật liệu của các chất dẫn điện trong suốt, bắt đầu với các oxit kim loại truyền thống và polymer dẫn điện, nhưng tập trung vào các phát triển hiện tại trong lớp phủ vật liệu nano. Các tính chất điện, quang và cơ học của từng vật liệu sẽ được thảo luận, cũng như tính phù hợp cho các ứng dụng khác nhau.
Từ khóa
Tài liệu tham khảo
Fenn J., 2010, “If not ITO, then what?”, Soc. Vac. Coat.
Mochel J., 1947, Corning glass works
Tolcin A., 2009, 2008 Minerals Yearbook, 35, 1
http://www.nitto.com/product/datasheet/optical/009/.
Lin H., 2009, J. Mater. Sci. Technol., 25, 119
Hecht D. S., 2008, Properties and applications of carbon nanotube films: A revolutionary material for transparent and flexible electronics.
Brujan E. A., 2005, Phys. Rev. E, 72, 6
Zhou Y. X., 2006, Appl. Phys. Lett., 88, 3
Song J. W., 2008, Nanotechnology, 19, 6
Ng M. H. A., 2008, Nanotechnology, 19, 5
Hu L., 2009, Appl. Phys. Lett., 94, 3
Li Z. R., 2007, Appl. Phys. Lett., 91, 3
Hu L., 2009, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1109
Yanagi K., 2008, Appl. Phys. Express, 1, 3
Xu H., 2007, Appl. Phys. Lett., 90, 3
Hecht D. S., 2010, Nanotechnology, 22
Shin D. W., 2009, Nanotechnology, 20, 6
Tian F., 2007, Appl. Phys. Lett., 092109
Zhu Y. W., 2009, Appl. Phys. Lett., 95
Cai W. W., 2009, Appl. Phys. Lett., 95
Wu J. B., 2008, Appl. Phys. Lett., 92
Keun Soo K., 2009, Nature, 706
Zhang Y. B., 2005, Appl. Phys. Lett., 86
Liu Y. Q., 2009, Nanotechnology, 20, 7
Tan Y. W., 2007, Phys. Rev. Lett., 99
Kim Y. K., 2009, Langmuir, 25, 1302
G.Grüner L.Hu D.Hecht USA Patent US 20070284557 2006.
J.Choi H.Shin S.Yoon H.Lee US 2009/0071533 2008.
Hu L. B., 2009, Appl. Phys. Lett., 94
De S., 2010, ACS Nano.
O’Connor B., 2008, Appl. Phys. Lett., 93
http://www.polyic.com/en/components.php.
Ghosh D. S., 2010, Appl. Phys. Lett., 96, 3
Li J. F., 2008, Appl. Phys. Lett., 93, 3
Miller A. J., 2007, Appl. Phys. Lett., 90, 3
Walker G., 2009, Soc. Info. Disp.
DeVisser B., 2007, Control Eng., 54, 16
Hu L., 2007, J. Appl. Phys., 101, 3
Saran N., 2008, IDW, 1473
Xuan W., 2008, Nano Lett., 323
Junbo W., 2008, Appl. Phys. Lett., 263302
Chien Y. M., 2010, Nanotechnology, 21, 5
Liao H. H., 2008, Appl. Phys. Lett., 92
Yu Z. B., 2009, Appl. Phys. Lett., 95
Xu H., 2007, Appl. Phys. Lett., 90