Elimination and Generation of Si ‐ SiO2 Interface Traps by Low Temperature Hydrogen Annealing

Journal of the Electrochemical Society - Tập 135 Số 7 - Trang 1797-1801 - 1988
L. Do Thanh1, P. Balk1
1Institute of Semiconductor Electronics, Aachen Technical University, D‐5100 Aachen, Germany

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo