Công bố khoa học
Công cụ trích dẫn
Công bố khoa học
Trích dẫn
Tạp chí khoa học
Cơ quan đơn vị
Quản lý tài khoản
Danh mục đã lưu
Đăng xuất
Elimination and Generation of Si ‐ SiO2 Interface Traps by Low Temperature Hydrogen Annealing
Journal of the Electrochemical Society
- Tập 135 Số 7
- Trang 1797-1801
- 1988
L. Do Thanh
1
,
P. Balk
1
1
Institute of Semiconductor Electronics, Aachen Technical University, D‐5100 Aachen, Germany
Tóm tắt
Từ khóa
Đi đến bài gốc
Trích dẫn
Lưu lại
Báo lỗi
Tài liệu tham khảo
Thông tin
DOI
:
10.1149/1.2096133
Thông tin xuất bản
Nhà xuất bản:
Journal of the Electrochemical Society
Tập/Số:
Tập 135 Số 7
Trang:
1797-1801
Thông tin tác giả