Tính chất vận chuyển điện tử và nghiên cứu theo nguyên lý đầu tiên về các lớp đơn γ-graphyne và γ-BN graphyne

Các tính chất vận chuyển điện tử của băng nanô γ-graphyne (γ-yne) theo phương dáng armchair và băng nanô γ-BN graphyne (γ-BN-yne) được đặt giữa hai băng nanô γ-yne theo phương dáng armchair đã được nghiên cứu hệ thống thông qua mô hình liên kết chặt chẽ (TB). Các tham số của quá trình nhảy liên kết chặt chẽ và năng lượng tại chỗ được xác định bằng cách so sánh cấu trúc băng liên kết chặt chẽ của các lớp đơn γ-yne và γ-BN-yne với kết quả tính toán theo nguyên lý đầu tiên. Chúng tôi tính toán số học các tính chất vận chuyển điện tử dưới dạng truyền dẫn và đặc tính dòng-điện áp. Kết quả cho thấy rằng khi tăng chiều dài của băng nanô γ-BN-yne, khả năng truyền dẫn qua hệ thống giảm xuống.