Electronic effects of La at the Si-SiO2 interface

Journal of Electronics (China) - 1985
Si-Yuan Li1, Tongjun Zhang1
1Department of Physics, Lanzhou University, Lanzhou, China

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

S. D. Brotherton,J. Appl. Phys.,42 (1971), 2085.

R. Holm and S. Storp,ibid.,12 (1977), 101.

K. S. Kim et al.,Surface Science,43 (1974), 625.

Y. C. Cheng,Progress in Surface Science,18 (1977), 181.

E. Kooi,Philips. Res. Repts.,21 (1966), 477.

Thông tin
Thông tin xuất bản

Journal of Electronics (China)

Thông tin tác giả