Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tính chất dẫn điện của hợp chất nhiệt điện AgSbTe2 được dop La
Tóm tắt
Mục đích của bài báo này là nghiên cứu tác động doping của La, như một chất thay thế cho Sb, lên các tính chất vận chuyển của hợp chất nhiệt điện AgSbTe2. Các mẫu được chế tạo bằng phương pháp nén plasma tia lửa (SPS). Hợp chất được nghiên cứu là Ag(Sb1−xLax)Te2, trong đó hàm lượng doping là x = 0∼0.05. Các hợp chất chưa được doping và có doping La đều thể hiện ánh xạ gần như một pha đơn AgSbTe2, chứa một lượng rất nhỏ Ag2Te. Khi hàm lượng La tăng lên, bề mặt gãy của Ag(Sb1−xLax)Te2 đã thay đổi từ hình thái không đều sang hình thái lớp, cho thấy sự chuyển đổi từ gãy dẻo sang gãy giòn. Hệ số Seebeck của hợp chất Ag(Sb1−xLax)Te2 đạt giá trị cao nhất là 358 μV/K cho Ag(Sb0.98La0.02)Te2 (tức là x = 0.02) tại 150°C. Điện trở suất thể hiện giá trị cao hơn cho hợp chất với giá trị x=0.02 so với các hợp chất khác. Hệ số công suất cao hơn cho mẫu có doping (x = 0.01) so với hợp chất chưa được doping trong vùng nhiệt độ từ 25∼300°C. Mong muốn, nồng độ mang điện của hợp chất Ag(Sb1-xLax)Te2 đã được tối ưu hóa từ 1020/cm3 xuống 1019/cm3 nhờ doping La, bất kể hàm lượng doping.
Từ khóa
#AgSbTe2 #doping La #tính chất nhiệt điện #nén plasma tia lửa #hệ số SeebeckTài liệu tham khảo
J. Tominaga, T. Kikukawa, M. Takahashi, and R. T. Phillips, J. Appl. Phys. 82, 3214 (1997).
W. K. Njoroge and M. Wuttig, J. Appl. Phys. 90, 3816 (2001).
F. D. Rosi, J. P. Dismukes, and E. F. Hockings, Electr. Eng. 79, 450 (1960).
S. Geller and J. H. Wernick, Acta Cryst. 12, 46 (1958).
F. D. Rosi, E. F. Hockings, and N. E. Lindenblad, RCA Rev. 22, 82 (1961).
D. M. Rowe, CRC Handbook of Thermoelectric Materials, CRC Press, NewYork (2005).
T. M. Tritt, Science 283, 804 (1996).
H. Wang, J. Li, M. Zou, and T. Sui, Appl. Phys. Lett. 93, 202106 (2008).
D. Bilc, S. D. Mahanti, E. Quarez, K. F. Hsu, R. Pcionek, and M. G. Kanatzidis, Phys. Rev. Lett. 93, 146403 (2004).
R. G. Majer, Zeitschrift Fur Metallkunde 54, 311 (1963).
R-M. Marin, G. Brun, and J-C. Tedenac, J. Mater. Sci. 20, 730 (1985).
H. Matsushita, E. Hagiwara, and A. Katsui, J. Mater. Sci. 39, 6299 (2004).
E. Quarez, K. F. Hsu, R. Pcionek, N. Frangis, E. K. Polychroniadis, and M. G. Kanatzidis, J. Am. Chem. Soc. 127, 9177 (2005).
R. Wolfe, J. H. Wernick, and S. E. Haszko, J. Appl. Phys. 31, 1959 (1960).
H. Wang, J-F. Li, M. M. Zou, and T. Sui, Appl. Phys. Lett. 93, 202106 (2008).
L. H. Ye, K. Hoang, A. J. Freeman, S.D. Mahanti, J. He, T. M. Tritt, and M. G. Kanatzidis, Phys. Rev. B 77, 245203 (2008).
K. T. Wojciechowski and M. Schmidt, Phys. Rev. B79, 184202 (2009).
S. N. Zhang, T. J. Zhu, S. H. Yang, C. Yu, and X. B. Zhao, J. Alloy. Compd. 499, 215 (2010).
K. T. Wojciechowski and M. Schmidt, Phys. Rev. B79, 184202 (2009).
M. Cutler, J. F. Leavy, and R. L. Fitzpatrick, Phys. Rev. 133, A1143 (1964).
J. M. O. Zide, D. Vashaee, Z. X. Bian, G. Zeng, J. E. Bowers, A. Shakouri, and A.C. Gossard, Phys.Rev. B74, 205335 (2006).