Electron mobility-lifetime and resistivity mapping of GaAs:Cr wafers

Journal of Instrumentation - Tập 12 Số 02 - Trang C02016-C02016
I. Chsherbakov1,2, I. Kolesnikova1, A. Lozinskaya1, T. Mihaylov1, V. A. Novikov1, A. Shemeryankina1, О. П. Толбанов1, A. Tyazhev1, A. Zarubin1
1Functional electronics laboratory, Tomsk State University, 36 Lenin av., Tomsk, 634050 Russia
2Radiophysics faculty, Tomsk State University, 36 Lenin av., Tomsk, 634050 Russia

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1016/S0168-9002(02)01455-9

10.1016/S0168-9002(03)01637-1

10.1016/S0168-9002(97)00630-X

10.1016/S0168-9002(01)00821-X

10.1016/S0168-9002(01)00817-8

10.1016/j.nima.2004.05.100

V.B. Chmill ., 1995, J. Phys., 28, 599, 10.1088/0022-3727/28/3/017

10.1016/S0168-9002(01)00839-7

E. Hamann ., 2013, J. Phys. Conf. Ser., 425, 062015, 10.1088/1742-6596/425/6/062015

10.1016/j.nima.2014.03.033

A. Lozinskaya ., 2016, JINST, 11, C03059, 10.1088/1748-0221/11/03/C03059

Thông tin
Thông tin xuất bản

Journal of Instrumentation

Tập 12 Số 02

C02016-C02016

Thông tin tác giả