Electrolyte‐Gated Transistors for Organic and Printed Electronics

Advanced Materials - Tập 25 Số 13 - Trang 1822-1846 - 2013
Se Hyun Kim1, Kihyon Hong1, Wei Xie1, Keun Hyung Lee1, Sipei Zhang1, Timothy P. Lodge2,3,4, C. Daniel Frisbie2,1,4
1Department of Chemical Engineering & Materials Science, University of Minnesota, 421 Washington Ave. SE, Minneapolis, MN 55455, USA
2C. Daniel Frisbie, Department of Chemical Engineering & Materials Science, University of Minnesota, 421 Washington Ave. SE, Minneapolis, MN 55455, USA
3Departments of Chemistry and Chemical Engineering & Materials Science, University of Minnesota, 421 Washington Ave. SE, Minneapolis, MN 55455, USA
4Timothy P. Lodge, Departments of Chemistry and Chemical Engineering & Materials Science, University of Minnesota, 421 Washington Ave. SE, Minneapolis, MN 55455, USA.

Tóm tắt

AbstractHere we summarize recent progress in the development of electrolyte‐gated transistors (EGTs) for organic and printed electronics. EGTs employ a high capacitance electrolyte as the gate insulator; the high capacitance increases drive current, lowers operating voltages, and enables new transistor architectures. Although the use of electrolytes in electronics is an old concept going back to the early days of the silicon transistor, new printable, fast‐response polymer electrolytes are expanding the potential applications of EGTs in flexible, printed digital circuits, rollable displays, and conformal bioelectronic sensors. This report introduces the structure and operation mechanisms of EGTs and reviews key developments in electrolyte materials for use in printed electronics. The bulk of the article is devoted to electrical characterization of EGTs and emerging applications.

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