Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Hiệu suất phát quang điện (Electroluminescence) của các đi-ốt silicon
Tóm tắt
Nghiên cứu về phát quang điện nội tại (EL) của một đi-ốt phát sáng silicon với khối p-n bị phân cực thuận. Việc gia tăng đáng kể cường độ EL tích hợp quan sát được khi nhiệt độ tăng từ mức nitơ lỏng đến nhiệt độ phòng, cùng với sự gia tăng thời gian suy giảm EL khi dòng điện qua đi-ốt ngừng lại, cho thấy sự ức chế nhiệt của kênh tái hợp không bức xạ liên quan đến các bẫy sâu. Một mô hình đơn giản mà chúng tôi phát triển cho các quá trình bức xạ xảy ra trong khối p-n cung cấp một cách giải thích cho tất cả các dữ liệu thực nghiệm thu được. Kết quả cho thấy rằng hiệu suất lượng tử nội tại của EL có thể đạt mức vài phần trăm dưới điều kiện doping tối ưu của các vùng p và n của đi-ốt.
Từ khóa
Tài liệu tham khảo
Z. H. Lu, D. J. Lockwood, and J. M. Baribeau, Nature 378, 258 (1995).
K. D. Hirschman, L. Tsybeskov, S. P. Duttagupta, and P. M. Fauchet, Nature 384, 338 (1996).
G. Franzò, A. Irrera, E. C. Moreira, et al., Appl. Phys. A 74(1), 1 (2002).
G. Franzò, F. Priolo, S. Coffa, et al., Appl. Phys. Lett. 64(17), 2235 (1994).
B. Zheng, J. Michel, F. Y. G. Ren, et al., Appl. Phys. Lett. 64(21), 2842 (1994).
M. A. Green, J. Zhao, A. Wang, et al., Nature 412, 805 (2001).
W. L. Ng, M. A. Lourenço, R. M. Gwilliam, et al., Nature 410, 192 (2001).
V. N. Abakumov, V. I. Perel’, and I. N. Yassievich, Nonradiative Recombination in Semiconductors (S.-Peterb. Inst. Yad. Fiz. Ross. Akad. Nauk, St. Petersburg, 1997).
C. Jacoboni, C. Canali, G. Ottaviani, and A. Alberigi Quaranta, Solid-State Electron. 20(2), 77 (1977).
H. Schlangenotto, H. Maeder, and W. Gerlach, Phys. Status Solidi A 21(2), 357 (1974).