V. G. Sidorov1, A. G. Drizhuk2, Д. В. Сидоров1, W. V. Lundin3, B. V. Pushnyĭ3, A. Usikov3
1State Technical University, St. Petersburg, Russia
2Polytechnical Institute, Vologda, Russia
3A.F.Ioffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Science, St.Petersburg, Russia
Tóm tắt
TÓM TẮTTrong nghiên cứu này, cả lớp epilayer GaN không pha tạp và cấu trúc thiết bị dựa trên GaN đã được xử lý bằng cách khắc phục điện hóa trong dung dịch nước pha loãng của KOH hoặc NaOH. Các điều tra của chúng tôi cho thấy rằng trong các lớp epilayer GaN không pha tạp được trồng bằng MOCVD, các đặc tính điện và quang không đồng nhất theo chiều sâu. Trong trường hợp này, một lớp con có độ dẫn điện cao và nhiều khuyết tật gần bề mặt substrate đã được phát hiện qua quá trình khắc phục điện hóa. Vùng có độ dẫn điện cao này đã được chứng minh là ảnh hưởng đến kết quả đo đạc hiệu ứng Hall. Quá trình khắc phục điện hóa của các cấu trúc thiết bị dựa trên i-n GaN được trồng bằng HVPE đã dẫn đến sự gia tăng đáng kể độ mạnh phát quang điện. Ảnh hưởng của khắc phục điện hóa đối với các đặc tính phát quang của cấu trúc thiết bị sẽ được thảo luận.
