Cơ sở điện có bề mặt phẳng/ quang học thô cho hiệu suất trên 10% trong các pin mặt trời silicon màng mỏng n-i-p

Được trình bày là các cơ sở có độ nhám cực kỳ thấp cho phép sự phát triển của vật liệu silicon chất lượng tốt nhưng đồng thời vẫn thể hiện tính năng phát quang cao. Trong ứng dụng đầu tiên, các gương phản chiếu bằng bạc được sử dụng trong các pin mặt trời silicon vô định hình (a-Si:H) điển hình và đa nối. Hiệu suất ban đầu cao (ổn định) đạt 10,4 % (8,1 %) đối với các tế bào a-Si:H đơn nối trên kính và 11,1 % (9,2 %) đối với các tế bào a-Si:H/a-Si:H đa nối trên nhựa. Một ứng dụng thứ hai phù hợp hơn với các pin mặt trời đa nối dựa trên silicon vi tinh thể (μc-Si:H) được giới thiệu: cơ sở gồm oxit kẽm (ZnO) thô được phát triển trên một gương phản chiếu bạc phẳng và được phủ bằng a-Si:H; việc đánh bóng cấu trúc này tạo ra bề mặt a-Si:H/ZnO cung cấp khả năng tán xạ ánh sáng cao mặc dù tế bào được lắng đọng trên một giao diện phẳng. Chúng tôi trình bày kết quả của các tế bào μc-Si:H dày khoảng 4μm được chuẩn bị trên các cơ sở như vậy với điện áp hở mạch cao đạt 520 mV. Một sự gia tăng hiệu suất tương đối lớn 20% được quan sát thấy so với một tế bào đồng lắng đọng được phát triển trực tiếp trên một cơ sở có kết cấu tối ưu.