Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Sự dẫn điện và cấu trúc điện tử của một số hợp chất thiosemicarbazide
Tóm tắt
Đáp ứng điện môi của một số dẫn xuất thiosemicarbazide đã được nghiên cứu như một hàm số của tần số và nhiệt độ. Các phép đo được tiến hành sử dụng thiết bị đo RLC Hioki trong vùng tần số 0.1–100 kHz và trong khoảng nhiệt độ 300–400 K. Phân tích độ dẫn điện xoay chiều cho thấy một đặc điểm dẫn điện yếu, chủ yếu dựa trên cơ chế hành vi khuếch tán, tiếp theo là sự nhảy của các electron bị phân bố cục bộ.
Từ khóa
#thiosemicarbazide #đáp ứng điện môi #độ dẫn điện xoay chiều #cấu trúc điện tử #hành vi khuếch tánTài liệu tham khảo
Y. MORI, H. NAKAMISHI, B. HILTI, C. W. MAYER and O. RIHS, J. Appl. Phys. 69 (3) (February 1, 1991) 1475.
D. J. BAUER, L. S. VINCENT, C. H. KEMPE and A. W. DOWNIE, Lancet 2 (1963) 494.
H. G. PETERING, H. H. BUSKIRK and G. E. UNDERWOOD, Cancer Rev. 64 (1964) 367.
A. K. JONSCHER, Nature 253 (1975) 71.
A. K. JONSCHER, Nature 267 (1977) 623.
A. K. JONSCHER, Dielectric relaxation in solids (Chelsea Dielectric Press Ltd., London, 1983).
J. MILLETÉ and M. GILLOU. J. Chem. Phys. 64 (1967) 1726.
A. TAGER, Physical Chemistry of Polymers (Mir Publishers, Mir Moscow, 1978) p. 311.
M. KAVCH, J. Phys. C: Solid State Phys. 18 (1985) 4165.
N. F. MOTT and E. A. DAVIES, Electronic processes in non-crystalline materials (Oxford Press, Oxford, 1979).
D. ZIMRA and M. KAVCH, J. Phys. C: Solid State Phys. 20 (1987) 83.