Electrical characterization of Si-doped n-type α-Ga2O3 on sapphire substrates
Tóm tắt
Từ khóa
Tài liệu tham khảo
K. Sasaki, D. Wakimoto, Q. T. Thieu, Y. Koishikawa, A. Kuramata, M. Higashiwaki, and S. Yamakoshi, IEEE Electron Device Lett. 38, 783 (2017)
J. Green, K. D. Chabak, M. Baldini, N. Moser, R. Gilbert, R. C. Fitch, Jr., G. Wagner, Z. Galazka, J. McCandless, A. Crespo, K. Leedy, and G. H. Jessen, Sr., IEEE Electron Device Lett. 38, 790 (2017).
M. H. Wong, Y. Nakata, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, Appl. Phys. Express 10, 041101 (2017).
J. Szubera, G. Czempika, R. Larcipreteb, D. Kozieja, and B. Adamowicza, Thin Solid Films 391, 198 (2001).
M. Kwoka, G. Czempik, and J. Szuber, acta physica slovaca 55, 331 (2005).
S. Fujita, K. Kaneko, T. Ikenoue, T. Kawaharamura, and M. Furuta, Phys. Stat. Solidi (c), 11, 1225 (2014).
M. Oda, R. Tokuda, H. Kambara, T. Tanikawa, T. Sasaki, and T. Hitora, Appl. Phys. Express 9, 021101 (2016).
G. T. Dang, T. Uchida, T. Kawaharamura, M. Furuta, A. R. Hyndman, R. Martinez, S. Fujita, R. J. Reeves, and M. W. Allen, Appl. Phys. Express 9, 041101 (2016).