Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Hoạt động điện của các khuyết tật: Triển vọng cho việc sử dụng thực tiễn
Tóm tắt
Hoạt động điện của các khuyết tật vô định hình tiếp xúc trong silicon đã được khảo sát bằng kỹ thuật dòng điện cảm ứng do chùm tia electron (EBIC) trong kính hiển vi điện tử quét. Các khuyết tật vô định hình "sạch", tức là không có độ tương phản EBIC, hình thành trong quá trình ép tinh hơi hóa học Si(Ge) ở nhiệt độ cao đã được nghiên cứu. Những khuyết tật này sau đó đã được trang trí bằng các tạp chất kim loại đã biết (Au và Ni) thông qua quá trình khuếch tán ở nhiệt độ từ 400° C đến 1130° C từ lớp bay hơi phía sau. Phân tích định tính về hoạt động điện liên quan đến các mức năng lượng dự kiến cho các khuyết tật sạch hoặc đã được trang trí được trình bày. Điều đặc biệt đáng chú ý là trường hợp đảo ngược loại dẫn điện do khuyết tật gây ra đã xảy ra cả ở bề mặt trên cùng và tại các lớp khuyết tật bị chôn kín trong multilayer. Triển vọng sử dụng các khuyết tật một cách có lợi như các phần tử hoạt động trong các thiết bị điện tử cũng được thảo luận.
Từ khóa
#khuyết tật vô định hình #hoạt động điện #silicon #kính hiển vi điện tử quét #tạp chất kim loại #conductivity type inversionTài liệu tham khảo
H.J. Queisser: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 14, 323 (1983)
G.A. Rozgonyi, A.S.M. Salih, Z.J. Radzimski, R.R. Kola, J. Honeycutt: J. Crystal Growth 85, 300 (1987)
A.S.M Slih, R. Hamerski: IEEE Trans. Power Devices (1991) (to be published)
D.M. Lee, J.B., Posthill, F. Shimura, G.A. Rozgonyi: Appl. Phys. Lett. 53, 370 (1988)
M. Kittler, J. Lärz, W. Seifert, M. Seibt, W. Schröter: Appl. Phys. Lett. 58, 911 (1991)
M. Kittler: Solid State Phenomena 6 & 7, 367 (1989)
L.C. Kimmerling, H.J. Leamy, J.R. Patel: Appl. Phys. Lett. 30, 217 (1977)
T.S. Fell, P.R., Wilshaw: Inst. Phys. Conf. Ser. 104, 227 (1989)
D.K. Schroder: Semiconductor Material and Device Characterization (Wiley, New York 1990)
M. Kolbe, O. Hollricher, H. Gottschalk, H. Alexander: Inst. Phys. Conf. Ser. 100, 725 (1989)
A. Buczkowski, Z.J. Radzimski, G.A. Rozgonyi: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (1990)
L.J. Cheng: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 36, 323 (1985)
Z.J. Radzimski, C. Dube, A. Buczkowski, G.A. Rozgonyi: ECS meeting, Washington DC (May 1991)
A. Kittler, Z. Seifer: Scanning Microscopy 3, 1392 (1988)
W. Schröter, I. Queisser, J. Kronewitz: Inst. Phys. Conf. Ser. 100, 75 (1989)
J.L. Benton, L.C. Kimmerling: J. Electrochem. Soc. 129, 2098 (1982)