Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tính Chất Điện Của Các Phim Kim Cương Polycrystalline Chưa Pha Tạp Trên Silic
Tóm tắt
Chúng tôi đã nghiên cứu các tính chất điện của các phim kim cương polycrystalline chưa pha tạp được lắp đặt trên các nền silic loại n và p có hướng (100). Các phim này, được chế tạo cho các ứng dụng điện tử, được sản xuất bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học filament nóng (HFCVD). Đến một mức độ lớn, đặc tính điện dung - điện áp bị ảnh hưởng bởi các bẫy nằm gần giao diện giữa lớp kim cương và nền silic. Những bẫy này đóng một vai trò quan trọng trong việc chia sẻ điện áp giữa lớp kim cương và vùng điện tích tĩnh của silic. Mật độ dòng điện DC xuyên qua phim kim cương có sự phụ thuộc chức năng giống nhau vào điện trường cho cả phim được lắp đặt trên silic loại n và p. Sự phụ thuộc vào điện trường đồng ý với mô hình vận chuyển Frenkel-Poole. Hơn nữa, mặc dù sự vận chuyển dòng điện DC được kích hoạt do nhiệt, nhưng nó không tuân theo quan hệ Arrhenius. Một lý do có thể là các bẫy nằm trong một phạm vi rộng của các mức năng lượng tham gia vào việc vận chuyển điện tích. Cuối cùng, các quá trình quá độ của dòng điện do sự thay đổi từng bước của điện áp áp dụng tuân theo một phụ thuộc thời gian theo quy tắc lũy thừa, trong đó động học chỉ phụ thuộc yếu vào nhiệt độ.
Từ khóa
#kim cương polycrystalline #lắng đọng hơi hóa học #tính chất điện #bẫy #vận chuyển điện tíchTài liệu tham khảo
M.I. Landstrass and D.M. Fleetwood, Appl. Phys. Lett. 56, p. 2316 (1990)
N.K. Annamalai, J. Sawyer, P. Karulkar, W. Maszara and M. Landstrass, IEEE Trans. Nucl. Sei. 40, p. 1780 (1993)
For a general review see for instance: Properties and Growth of Diamond edited by G. Davies (Short Run Press Ltd., Exeter, England, 1994)
A. Séderbérg, B. Edholm and S. Bengtsson in Proc. 1995 IEEE Int. SOI Conf.. Tucson, Arizona (1995), p. 104
Diamonex, Incorporated, Iron Run Corporate Center 7150 Windsor Drive, Allentown, PA 18106-9328 USA
See for instance: S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices. 2nd ed. (John Wiley & Sons, New York, 1981), chapter 7
B. Liss and O. Engstrém, J. Appl. Phys. 78, p. 1824 (1995)
A. Jauhiainen, S. Bengtsson, O. Engstrém, D.J. Pickrell and D.S. Hoover in Proc. Third Int. Symp. on Diamond Materials, edited by J.P. Dismukes and K.V. Ravi (The Electrochem. Soc. Hardbound Proc. Series Vol. 93–17), Honolulu (1993), p. 927
B.-R. Huang and D.K. Reinhard, Appl. Phys. Lett. 59, p. 1494 (1991)
H. Scher, M.F. Shlesinger and J.T. Bendler, Physics Today, January, p. 26 (1991)