Tăng cường điện trường ảnh hưởng đến sự phát xạ electron từ trung tâm DX và những hệ quả

J. C. Bourgoin1, M. Zazooi1, S. L. Feng1, H. J. von Bardeleben1, S. Alaya2, H. Maaref2
1Groupe de Physique des Solides de l’École Normale Supérieure, Centre National de la Recherche Scientifique, Paris Cedex 05, France
2Faculté des Sciences, Université de Monastir, Monastir, Tunisia

Tóm tắt

Chúng tôi trình bày dữ liệu cho thấy sự phát xạ electron từ trung tâm DX nhạy cảm với hiệu ứng Poole-Frenkel. Chúng tôi chứng minh rằng kết quả này cho thấy trung tâm DX là một trạng thái khối lượng hiệu dụng L của tạp chất cho kèm theo sự giãn nở mạng tinh thể nhỏ. Chúng tôi chỉ ra rằng tất cả các quan sát cho đến nay về trung tâm này đều tương thích với mô hình này.

Từ khóa

#trung tâm DX #phát xạ electron #hiệu ứng Poole-Frenkel #khối lượng hiệu dụng #tạp chất cho #giãn nở mạng tinh thể

Tài liệu tham khảo

K.A. Khachaturyan, D.D. Awschalom, J.R. Rozen and E.R. Weber, Phys. Rev. Lett. 63, 1311 (1989). M. Zazoui, S.L. Feng and J.C. Bourgoln (unpublished). J.C. Bourgoin and A. Kauger, Appl. Phys. Lett. 53, 749 (1988). J.R. Morante, J. Samitier, A. Cornet and A. Hems, Appl. Phys. Lett. 45, 1317 (1984). H. Kunzel, A. Fischer, J. Knecht and K. Ploaog, Appl. Phys. A 32, 69 (1983). D. Stievenard, M. Lannoo and J.C. Bourgoin, Solid State Electron. 28, 485 (1985). M. Zazoui and J.C. Bourgoin, unpublished. D.V. Lang in Deep Centers in Semiconductors, edited by S.T. Pantelides (Gordon and Breach, New York, 1986), chap. 7. H.J. von Bardeleben, J.C. Bourgoin, P. Basmaji and P. Gibart, Phys. Rev. B 40, 5892 (1989). P.M. Mooney, G.A. Northrop, T.N. Morgan and H.G. Grimmeis, Phys. Rev. B 37, 8298 (1988). S. Alaya, H. Maaref and J.C. Bourgoin, Appl. Phys. Lett. 55, 1406 (1989). J.C. Bourgoin, S.L. Feng and H.J. von Bardeleben, Phys. Rev. B 40, 7663 (1989). J.C.M. Henning and J.P.M. Ansems, Phys. Rev. B 38, 5772 (1988). D.J. Chadi and K.J. Chang, Phys. Rev. Lett. 61, 873 (1988). P.M. Mooney, T.N. Theis and S.L. Wright in Defects in Semiconductors. Material Sci. Forum 38–41, edited by H.J. von Bardeleben (Trans Tech Publ. Aedermannsdorf, Switzerland, 1989), p. 1109. M. Mizuta, M. Tachikawa, H. Kukimoto and S. Minamura, Japan J. Appl. Phys. 24, L143 (1985). W. Shan, P.Y. Yu, M.F. Li, W.L. Hansen and E. Bauser, Phys. Rev. B 40, 7831 (1982). T. Kitano and M. Mizuta, Japan J. Appl. Phys. 28, L1806 (1987). M. Mizuta and T. Kitano, Appl. Phys. Lett. 52, 126 (1988). P. Gibart, D.L. Williamson, B. El Jani and P. Basmagi, Phys. Rev. B 38, 1885 (1988). J.C. Bourgoin, S.L. Feng and F. Mollot, J. Appl. Phys. to be published. S.L. Feng, J.C. Bourgoin, H.J. von Bardeleben, E. Barbier, J.P. Hirtz and F. Mollot, presented at the Proc. Mat. Res. Soc. Meeting, San Diego, USA, 1989, to be published.