Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tác động của lớp phủ ZnO lên hiệu suất của màng mỏng nano cấu trúc TiO2 cho pin mặt trời nhạy sáng
Tóm tắt
Màng mỏng TiO2 được phủ ZnO (ZTO) đã được lắng đọng trên các cơ chất ITO bằng phương pháp sol-gel để ứng dụng làm điện cực công việc cho các pin mặt trời nhạy sáng (DSSCs). Đường cong I-V và hiệu suất chuyển đổi photon-thành-dòng điện (IPCE) của các pin DSSCs với màng mỏng ZTO đã được nghiên cứu và so sánh với các màng TiO2 đơn. Kết quả cho thấy dòng điện ngắn mạch (J
sc) và điện thế hở mạch (V
oc) đã tăng từ 3,7 mA/cm2 và 0,68 V cho DSSCs với màng TiO2 đơn lên 4,5 mA/cm2 và 0,72 V, tương ứng, cho DSSCs với màng ZTO. Điều này cho thấy rằng DSSCs với màng ZTO đã tạo ra một rào cản năng lượng bám dính vốn có, giúp ngăn chặn sự tái hợp điện tích đáng kể. Hơn nữa, giá trị IPCE cao hơn trong màng ZTO được cho là do sự tách điện tích tốt hơn nhờ quá trình chuyển giao electron nhanh với việc sử dụng hai loại bán dẫn có bề mặt năng lượng dẫn khác nhau.
Từ khóa
#ZnO #TiO2 #màng mỏng #pin mặt trời nhạy sáng #IPCETài liệu tham khảo
A.J. Cheng, Y. Tzeng, Y. Zhou, M. Park, T. Wu, C. Shannon, D. Wang, W. Lee, Appl. Phys. Lett. 92, 092113 (2008)
M.G. Kang, N. Park, Y.J. Park, K.S. Ryu, S.H. Chang, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 75, 475 (2003)
K. Hara, K. Miyamoto, Y. Abe, J. Phys. Chem. B 109, 23776 (2005)
N.A. Anderson, X. Ai, T. Lian, J. Phys. Chem. B 107, 14414 (2003)
R. Katoh, A. Furube, T. Yoshihara, K. Hara, G. Fujihashi, S. Takano, S. Murata, H. Arakawa, M. Tachiya, J. Phys. Chem. B 108, 4818 (2004)
R. Katoh, A. Furube, Y. Tamaki, T. Yoshihara, M. Murai, K. Hara, S. Murata, H. Arakawa, M. Tachiya, J. Photochem. Photobiol. A 166, 69 (2004)
K. Keis, E. Magnusson, H. Lindstrom, S.E. Lindquist, A. Hagfeldt, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 73, 51 (2002)
M.V. Jorge, F.R. Claudio, S. Calixto, S.B. Pedro, H.L. Victor, Mater. Charact. 58, 233 (2007)
D. Yoo, I. Kim, S. Kim, C.H. Hahn, C. Lee, S. Cho, Appl. Surf. Sci. 253, 3888 (2007)
T. Kitamura, M. Ikeda, K. Shigaki, T. Inoue, N.A. Anderson, X. Ai, T. Lian, S. Yanagida, Chem. Mater. 16, 1806 (2004)
D.S. Tsoukleris, I.M. Arabatzis, E. Chatzivasiloglou, A.I. Kontos, V. Belessi, M.C. Bernard, P. Falaras, Sol. Energy 79, 422 (2005)
F. Falaras, T. Stergiopoulos, D.S. Tsoukleris, Small 4, 770 (2008)
T. Stergiopoulos, A. Ghicov, V. Likodimos, D.S. Tsoukleris, J. Kunze, P. Schmuki, P. Falaras, Nanotechnology 19, 235602 (2003)
M. Grätzel, J. Sol–Gel Sci. Technol. 22, 7 (2001)
S.G. Chen, S. Chappel, Y. Diamant, A. Zaban, Chem. Mater. 13, 4629 (2001)
P. Cheng, C.S. Deng, D.N. Liu, X.M. Dai, Appl. Surf. Sci. 254, 33916 (2008)
J.Y. Liao, K.C. Ho, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 86, 229 (2005)
W.P. Tai, K. Inoue, Mater. Lett. 57, 1508 (2003)
A. Kitiyanan, S. Yoshikawa, Mater. Lett. 59, 4038 (2005)
W.P. Tai, K. Inoueb, J.H. Oh, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 71, 553 (2002)