Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tác động của nồng độ pha tạp Zn đến đặc tính chuyển đổi điện trở trong thiết bị Ag/La1−x Zn x MnO $_{3}/\textit {p}^{\mathrm {+}}$ -Si
Tóm tắt
Các thiết bị Ag /La
1
−x
Zn
x
MnO
$_{\mathbf {3}}\boldsymbol {/}\textit {p}^{\boldsymbol {+}}$
-Si với các hàm lượng pha tạp Zn khác nhau đã được chế tạo thông qua phương pháp sol-gel. Các tác động của nồng độ pha tạp Zn đến vi cấu trúc của phim La
1
−x
Zn
x
MnO
3
, cũng như đến hành vi chuyển đổi điện trở và đặc tính tuổi thọ của Ag /La
1
−x
Zn
x
MnO
$_{\mathbf {3}}\boldsymbol {/}\textit {p}^{\boldsymbol {+}}$
-Si đã được nghiên cứu. Sau khi xử lý nhiệt ở 600
∘
C trong 1 giờ, các mẫu La
1
−x
Zn
x
MnO
3
(x
= 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5) có cấu trúc vô định hình và có đặc tính điện trở lưỡng cực, với tỉ số R
H
R
S
/
R
L
R
S
>10
3
. Tuy nhiên, các đặc tính tuổi thọ cho thấy sự khác biệt đáng kể; x=
0
.
3 cho thấy đặc tính tuổi thọ tốt nhất trong hơn 1000 chu kỳ chuyển đổi. Cơ chế dẫn điện của Ag /La
1
−x
Zn
x
MnO
$_{\mathbf {3}}\boldsymbol {/}\textit {p}^{\boldsymbol {+}}$
-Si là chế độ phát xạ Schottky ở trạng thái điện trở cao. Tuy nhiên, cơ chế dẫn điện ở trạng thái điện trở thấp thay đổi theo nồng độ pha tạp Zn. Cơ chế chiếm ưu thế tại x=
0
.
1 là cơ chế dẫn điện sợi, trong khi đó tại x
≥
0
.
2 là dẫn điện giới hạn bởi điện tích không gian.
Từ khóa
#Ag/La1−xZnxMnO3; Zn doping; điện trở lưỡng cực; chuyển đổi điện trở; tuổi thọ thiết bịTài liệu tham khảo
Sawa A 2008 Mater. Today 11 28
Torrezan A C, Strachan J P, Medeiros Ribeiro G and Williams R S 2011 Nanotechnology 11 485203
Liu S Q, Wu N J and Ignatiev A 2000 Appl. Phys. Lett. 76 2749
Yan Z B, Guo Y Y, Zhang G Q and Liu J M 2011 Adv. Mater. 23 1351
Chang W Y, Lai Y C, Wu T B, Wang S F, Chen F T and Tsai M J 2008 Appl. Phys. Lett. 92 022110
Hu P, Li X Y, Lu J Q, Yang M, Lv Q B and Li S W 2011 Phys. Lett. A 375 1898
Waser R, Dittmann R, Staikov G and Szot K 2009 Adv. Mater. 21 2632
Potember R S, Pochler T O and Cowan D O 1979 Appl. Phys. Lett. 34 405
Musarrat H, Dong R, Choi H J, Lee D S, Seong D J, Pyun M B and Hwang H 2008 Appl. Phys. Lett. 92 202102
Yang R, Li X M, Yu W D, Liu X J, Gao X D, Wang Q and Chen L D 2009 Appl. Phys. A 97 85
Bhavsara K H, Joshia U S, Mistry B V, Khan S A and Avasthi D K 2011 Radiat. Eff. Defect. Solids 166 718
Liu L M, Liu J and Jin Y J 2010 J. Chin. Ceram. Soc. 38 1876
Shima H, Zhong N and Akinaga H 2009 Appl. Phys. Lett. 94 082905
Choi B J, Jeong D S, Kim S K, Rohde C, Choi S, Oh J H et al 2005, J. Appl. Phys. 98 033715
Jameson J R, Fukuzumi Y, Wang Z, Griffin P, Tsunoda K, Meijer G I and Nishi Y 2007 Appl. Phys. Lett. 91 112101
Yang Y C, Pan F, Liu Q, Liu M and Zeng F 2009 Nano Lett. 9 1636
Liu Q, Guan W H, Long S B, Jia R, Liu M and Chen J N 2008 Appl. Phys. Lett. 92 012117
Luo J M, Lin S P, Zheng Y and Wang B 2012 Appl. Phys. Lett. 101 062902
Li S, Wei X H and Zeng H Z 2013 Appl. Phys. Lett. 103 133505
Liu D Q, Wang N N, Wang G, Shao Z Z, Zhu X, Zhang C Y and Cheng H F 2013 Appl. Phys. Lett. 103 134105
Liu X J, Li X M, Wang Q, Yu W D, Yang R, Cao X et al 2010, Solid State Commun. 150 137