Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Khối lượng hiệu dụng và hệ số g của electron trong trạng thái kích thích tại điểm Γ trong chất bán dẫn III-V
Tóm tắt
Các ước lượng số cho khối lượng hiệu dụng và hệ số g của electron trong các băng dẫn xuất kích thích tại điểm Γ trong các chất bán dẫn III-V lần đầu tiên được công bố trong tài liệu khoa học. Các phép tính được thực hiện bằng cách áp dụng phương pháp mới được phát triển trong các công trình trước đó của chúng tôi và dựa trên quy tắc tổng.
Từ khóa
Tài liệu tham khảo
V. D. Dymnikov, Fiz. Tverd. Tela (St. Petersburg) 43(11), 1957 (2001) [Phys. Solid State 43 (11), 2037 (2001)].
V. D. Dymnikov, Fiz. Tverd. Tela (St. Petersburg) 47(4), 591 (2005) [Phys. Solid State 47 (4), 614 (2005)].
V. D. Dymnikov and O. V. Konstantinov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 42(8), 934 (2008) [Semiconductors 42 (8), 918 (2008)].
I. M. Tsidil’kovskioe, Band Structure of Semiconductors (Nauka, Moscow, 1978) [in Russian].
V. D. Dymnikov and O. V. Konstantinov, Fiz. Tverd. Tela (St. Petersburg) 51(4), 654 (2009) [Phys. Solid State 51 (4), 690 (2009)].
Semiconductors and Semimetals, Ed. by R. Willardson and A. Beer, Vol. 3: Optical Properties of III-IV Compounds (Academic, New York, 1967; Mir, Moscow, 1970).
J. M. Luttinger, Phys. Rev. 102(4), 1030 (1956).
X. Marie, T. Amand, P. Le Jeune, M. Pailard, P. Renucci, L. E. Golub, V. D. Dymnikov, and E. L. Ivchenko, Phys. Rev. B: Condens. Matter 60(8), 5811 (1999).
Landolt-Börnstein Tables, Ed. by O. Madelung, M. Schulz, and H. Weiss (Springer, Berlin, 1982), Vol. 17a.
G. L. Bir and G. E. Pikus, Symmetry and Strain-Induced Effects in Semiconductors (Nauka, Moscow, 1972; Wiley, New York, 1974).