Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tính toán mặt cắt hiệu ứng kích thích của erbium trong silicon vô định hình được bơm quang
Tóm tắt
Mặt cắt hiệu quả của việc kích thích erbium nhúng trong ma trận silicon vô định hình và thời gian sống tổng của các ion erbium trong trạng thái kích thích được xác định bằng cách đo thời gian tăng quang phát sáng của các ion erbium dưới sự kích thích xung của silicon vô định hình có doping erbium. Phân tích các phương trình tỷ lệ mô tả sự kích thích và suy thoái của các ion erbium trong ma trận bán dẫn làm sáng tỏ ý nghĩa vật lý của mặt cắt hiệu quả của việc kích thích. Kết quả cho thấy việc đo lường mặt cắt hiệu quả của việc kích thích cho phép đánh giá nồng độ của các ion erbium hoạt động quang học trong ma trận silicon vô định hình.
Từ khóa
#erbium #silicon vô định hình #mặt cắt hiệu quả #kích thích quang #phát sáng quang.Tài liệu tham khảo
I. N. Yassievich and L. C. Kimerling, Semicond. Sci. Technol. 8, 718 (1993).
S. Coffa, G. Franzo, and F. Priolo, Appl. Phys. Lett. 69, 2077 (1996).
J. Palm, F. Gan, B. Zheng, et al., Phys. Rev. B 54, 17603 (1996).
F. Priolo, G. Franzo, S. Coffa, and A. Carnera, Phys. Rev. B 57, 4443 (1998).
J. L. Benton, J. Michel, L. C. Kimerling, et al., J. Appl. Phys. 70, 2667 (1991).
S. Libertino, S. Coffa, G. Franzo, and F. Priolo, J. Appl. Phys. 78, 3867 (1995).
K. Pierz, W. Fuhs, and H. Mell, Philos. Mag. B 63, 123 (1991).
W. Fuhs, I. Ulber, G. Weiser, et al., Phys. Rev. B 56, 9545 (1997).
I. N. Yassievich, M. S. Bresler, and O. B. Gusev, J. Phys.: Condens. Matter 9, 9415 (1977).