Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tác động của phương pháp và mức độ nghiền lên quang phát sáng của tinh thể ZnS
Tóm tắt
Nghiên cứu tác động của phương pháp nghiền và mức độ phân tán lên phổ quang phát sáng, sự phụ thuộc nhiệt độ của độ phát sáng, độ phát sáng kích thích nhiệt, động học lưu trữ ánh sáng và quy luật phát sáng dư của photphor tinh thể ZnS:Ga. Phân tích tất cả các kết quả thu được cho thấy phương pháp nghiền thể hiện rõ nét nhất trong quang phát sáng nhiệt dưới dạng các đỉnh bổ sung của độ phát sáng kích thích nhiệt (TSL) do sự xuất hiện trong quá trình nghiền của các nhóm bẫy với độ sâu từ 0,22–0,24 eV. Nguồn gốc của các bẫy này được thảo luận. Thực nghiệm cho thấy quá trình liên quan đến sự phát sinh các khuyết tật trong quá trình nghiền là hiệu quả nhất trong việc hình thành các bẫy electron.
Từ khóa
#quang phát sáng #ZnS #nghiền vật liệu #phát sáng kích thích nhiệt #bẫy electronTài liệu tham khảo
J. Broser and W. Reichardt, Z. Phys.,134, 222 (1954).
H. Meir, Z. Electrochem.,60, 1007 (1956).
F. Frey, Ann. Phys.,2, 145 (1948).
V. L. Levshin and B. D. Ryzhikov, Opt. Spectrosk.,10, 505 (1961).
P. Goldberg, J. Electrochem. Soc.,106, 34 (1959).
L. Dvorak and J. M. Zelikin, Czech. J. Phys.,B23, 781 (1973).
S. Bhushan and R. P. Asare, Czech. J. Phys.,B31, 331 (1981).
G. V. B. Birkle and F. F. Gavrilov, Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved., Fiz., No. 7, 37 (1981).
J. Watkins, Point Defects in Solids [Russian translation], Mir, Moscow (1979).
E. E. Bukke, T. I. Voznesenskaya, N. P. Golubeva, N. A. Gorbacheva, Z. P. Ilyukhina, E. I. Panasyuk, and M. V. Fok, Tr. FIAN SSSR,59, 25 (1972).
G. V. B. Birkle, Temperature Investigation of Luminescence and Photoconductivity of Single Crystals, Powders, and Films of Zinc Sulfide [in Russian], Candidate's Thesis, Sverdlovsk (1978).
R. Chen, J. Appl. Phys.40, 570 (1969).
E. G. Avvakumov, Mechanical Activation Methods of Chemical Processes [in Russian], Nauka, Novosibirsk (1979).
E. D. Pol'skikh, S. S. Galaktionov, and A. A. Bundel', Zh. Prikl. Spektrosk.,19, 877 (1973).
G. V. B. Birkle, F. F. Gavrilov, and G. A. Kitaev, Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved., Fiz., No. 6, 151 (1978).
H. F. Matare, Defect Electronics in Semiconductors, Wiley (1971).
A. M. Gurvich, Usp. Khim.,35, 1495 (1966).
G. V. B. Birkle, F. F. Gavrilov, and G. A. Kitaev, Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved., Fiz., No. 7, 38 (1979).