Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Ảnh hưởng của mức độ pha tạp đến sự ổn định nhiệt độ trong wafer silicon
Tóm tắt
Nghiên cứu này khám phá ảnh hưởng của mức độ pha tạp đến hiệu ứng ổn định nhiệt độ trong một wafer silicon khi xảy ra trao đổi nhiệt bức xạ giữa wafer và các thành phần của hệ thống làm nóng. Các đặc tính truyền dẫn lý thuyết được xây dựng cho một wafer silicon được pha tạp bằng các tạp chất cho electron và nhận electron. Những đặc tính này được so sánh với các đặc tính truyền dẫn thu được trong quá trình làm nóng và làm lạnh của các wafer với dẫn điện lỗ (với nồng độ tạp chất 10^15, 2 × 10^16, và 3 × 10^17 cm−3) và dẫn điện electron (với nồng độ tạp chất 10^15 và 8 × 10^18 cm−3) trong lò phản ứng nhiệt trong thiết bị làm giàu nhiệt cấp tốc. Kết quả cho thấy rằng chiều rộng và chiều cao của vòng trễ giảm dần khi nồng độ tạp chất tăng lên và hầu như không phụ thuộc vào loại dẫn điện của wafer silicon. Giá trị quan trọng của nồng độ tạp chất cho cả hai loại là 1.4 × 10^17 cm−3. Tại nồng độ này, chiều rộng vòng trễ biến mất và chiều cao tương ứng với giá trị tối thiểu của cú nhảy nhiệt độ (∼200 K). Cơ chế ổn định nhiệt độ trong wafer silicon khi xảy ra trao đổi nhiệt bức xạ cũng được thảo luận.
Từ khóa
#wafer silicon #pha tạp #ổn định nhiệt độ #trao đổi nhiệt bức xạ #dẫn điệnTài liệu tham khảo
H. Gibbs, Optical Bistability and Hysteresis in Distributed Nonlinear. Systems: Controlling Light with Light (Academic, New York, 1985).
N. N. Rozanov, Optical Bistability and Hysteresis in Distributed Nonlinear Systems (Nauka, Moscow, 1997).
V. I. Rudakov, V. V. Ovcharov, and V. P. Prigara, Tech. Phys. Lett. 34, 718 (2008).
V. I. Rudakov, V. V. Ovcharov, A. L. Kurenya, and V. P. Prigara, Microelectron. Eng. 93, 67 (2012).
V. P. Prigara, V. V. Ovcharov, A. L. Kurenya, and V. I. Rudakov, in Proceedings of the 8th International Conference and 7th School of Young Scientists and Specialists, Moscow, 2011, p. 114.
J.-M. Dilhac and C. Ganibal, Rapid Thermal and Other Shorttime Processing Technologies, Electrochem. Soc. Proc. Ser. (Penington, NJ, 2000), Vol. 2000-9, p. 421.
B. V. Mochalov and V. I. Rudakov, Prib. Tekh. Eksp., No. 2, 155 (1996).
R. Zigel and J. Howell, Thermal Radiation Heat Transfer (CRC, Boca Raton, 2011).
J. Zeegers and H. A. L. van Dijk, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 33, 23 (1994).
www.me.gatech.edu/~zzhang
B. J. Lee and Z. M. Zhang, in Proceedings of the 13th IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors, Santa Barbara, 2005, p. 7.
B. J. Lee and Z. M. Zhang, in Proceedings of the 13th IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors, Santa Barbara, 2005, p. 10.
V. Joshi, et al., in Proceedings of the Asia and South Pacific Design Automation Conference, Taipei, Taiwan, 2010, pp. 739–744.
F. Cacho, et al., IEEE Trans. Semicond. Manuf. 23, 303 (2011).
E. M. Epshtein, Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved., Radiofiz. 15, 33 (1972).
A. N. Magunov, Laser Thermometry of Solids, 2nd ed. (Cambridge Int. Sci. Publ., Cambridge, 2006).