Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tác động của Cấu trúc Bề mặt Substrate và Điều kiện Lắng đọng đến Cấu trúc Vĩ mô của Màng Mỏng Oxit Thiếc được Tổng hợp bằng Phương pháp Lắng đọng Laser Xung Femt giây
Tóm tắt
Màng oxit thiếc (SnO2) đã được lắng đọng trên các nền sapphire và silicon bằng phương pháp lắng đọng laser xung femt giây phản ứng ở các nhiệt độ dao động từ nhiệt độ phòng đến 700°C. Tác động của sự phóng điện và áp suất oxy nền đến vi cấu trúc màng mỏng đã được nghiên cứu. Vi cấu trúc của các màng được đặc trưng bởi kính hiển vi electron truyền qua và nhiễu xạ tia X. Các màng SnO2 chế tạo có cấu trúc vi mô khác nhau tùy thuộc vào điều kiện lắng đọng và cấu trúc bề mặt nền. Ví dụ, các màng lắng đọng trên bề mặt sapphire (R-cut) (101¯2) là vô định hình nếu được lắng đọng ở nhiệt độ phòng, trong khi các màng lắng đọng ở 700°C lại có tính chất tinh thể đơn, kết tinh epitabs. Sự phóng điện và áp suất oxy có ảnh hưởng mạnh mẽ đến tỷ lệ ion/không ion của đám mây plasma bị phá hủy của SnO2.
Từ khóa
#màng mỏng oxit thiếc #lắng đọng laser xung femt giây #vi cấu trúc #sapphire #silicon #tinh thể đơn #phóng điện #áp suất oxyTài liệu tham khảo
Y. Shimizu and M. Egashira, MRS Bulletin, 24, 18 (1999)
A.M. Azad, S.A. Akbar, S.G. Mhaisalkar, L.D. Birkefeld and K.S. Goto, J. Electrochem. Soc., 139, 3690 (1992)
G. Williams and G. S. V. Coles, MRS Bulletin, 24, 25 (1999)
L. L. Kazmerski, Polycrystalline and Amorphous Thin Films and Devices, Academic Press, New York, 1980.
S. Semancik and R.E. Cavicchi, Thin Solid Films, 206, 81 (1991)