Tác động của Độ Dày Oxit Giao Diện đến Sự Hình Thành Titanium Silicide

Sự hình thành TiSi2 trên các nền vật liệu khác nhau đã được nghiên cứu rộng rãi trong quá khứ và một trong những thông số quan trọng đã được xác định là chất lượng của giao diện trước khi lắng đọng. Trong bài báo này, chất lượng của silicide được hình thành trên một loạt các oxit, từ 1nm đến 15nm, đã được nghiên cứu hệ thống bằng cách sử dụng các phép đo điện trở tấm, Kính hiển vi điện tử quét, Kính hiển vi lực nguyên tử và Kính hiển vi điện tử Auger. Độ dày tới hạn, trên đó chất lượng của silicide được hình thành bị ảnh hưởng, đã được xác định là 2.2nm và không có silicide nào được phát hiện > 13.0nm. Một sự khác biệt đáng chú ý trong sự hình thành silicide đã xảy ra trong một băng hẹp xung quanh 5.0nm. Chúng tôi đề xuất rằng đây là vùng chuyển tiếp trong đó oxit trở thành nguồn chính cung cấp Si cho sự hình thành TiSi2 thay vì nền vật liệu.