Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tác động của sự tương tác điện tử-phonon Holstein lên các đặc tính nhiệt điện của cấu trúc graphene có khe
Tóm tắt
Các đặc tính vận chuyển nhiệt của cấu trúc graphene có khe, với sự xem xét ảnh hưởng của sự tương tác giữa điện tử và phonon Einstein, đã được giải quyết. Đặc biệt, chúng tôi nghiên cứu sự phụ thuộc của nhiệt độ đối với độ dẫn nhiệt và sức điện động nhiệt của cấu trúc. Phương pháp hàm Green đã được áp dụng để thu được các hệ số vận chuyển của hệ trong bối cảnh của Hamiltonian mô hình Holstein. Chúng tôi tìm thấy các kết quả số cho sự phụ thuộc của độ dẫn nhiệt đối với nhiệt độ của graphene có khe cho các độ mạnh tương tác giữa điện tử và phonon Holstein khác nhau. Ngoài ra, hành vi nhiệt độ của hệ số Seebeck của cấu trúc graphene có khe do sự tương tác điện tử-phonon cũng đã được điều tra. Hơn nữa, chúng tôi xem xét ảnh hưởng của tham số khe lên sự phụ thuộc nhiệt độ của graphene có khe cho trường hợp khe hữu hạn.
Từ khóa
#Graphene #Thermal Conductivity #Thermopower #Electron-Phonon Interaction #Holstein ModelTài liệu tham khảo
K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubons, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science (Washington, DC, U. S.) 306, 666 (2004).
H. Hirai, H. Tsuchiya, Y. Kamakura, N. Mori, and M. Ogawa, J. Appl. Phys. 116, 083703 (2014).
J. I. A. Li, C. Tan, S. Chen, Y. Zeng, T. Taniguchi, K. Watanabe, J. Hone, and C. R. Dean, Science (Washington, DC, U. S.) 358 (6363), 648 (2017).
A. H. Castro Neto, F. Guinea, N. M. R. Peres, K. S. Novoselov, and A. K. Geim, Rev. Mod. Phys. 81, 109 (2009).
J. C. Slater and G. F. Koster, Phys. Rev. 94, 1498 (1954).
T. Ma, Z. Liu, J. Wen, Y. Gao, X. Ren, H. Chen, C. Jin, X-L. Ma, N. Xu, and H.-M. Cheng, Nat. Commun. 8, 14486 (2017).
P. Lazar, J. Granatier, J. Klimes, P. Hobza, and M. Otyepka, Phys. Chem. Chem. Phys. 16, 20818 (2014).
B. Zhou, X. Wang, S. Dong, K. Zhang, and W. Mi, Carbon 120, 121 (2017).
M. M. Otrokov, V. Y. Voroshnin, D. Sostina, L. Petaccia, G. di Santo, S. Thakur, E. V. Chulkov, and A. M. Shikin, ACS Nano 11, 368(R) (2017).
Y. W. Son, M. L. Cohen, and S. G. Louie, Phys. Rev. Lett. 97, 216803 (2006).
E. Mayhew and V. Prakash, J. Appl. Phys. 115, 174306 (2014).
S. T. Rodriguez, I. Grosu, M. Crisan, and I. Tifrea, Phys. E (Amsterdam, Neth.) 96, 1 (2018).
K. Giergiel and K. Sacha, Phys. Rev. A 95, 063402 (2017).
T. Gunst, T. Markussen, K. Stokbro, and M. Brandbyge, Phys. Rev. B 93, 035414 (2016).
T. Holstein, Ann. Phys. (N.Y) 8, 325 (1959).
T. Stauber and N. M. R. Peres, J. Phys.: Condens. Matter 20, 055002 (2008).
H. Rezania and P. Zare, Superlatt. Microstruct. 100, 474 (2016).
H. Rezania and M. Abtin, Phys. E (Amsterdam, Neth.) 48, 66 (2013).
H. Rezania and F. Taherkhani, Appl. Phys. A 109, 343 (2012).
H. Rezania and F. Taherkhani, Solid State Commun. 152, 1776 (2012).
S. K. Gupta, H. R. Soni, and P. K. Jha, AIP Adv. 3, 032117 (2013).
B. R. Carvalho, Y. Wang, S. Mignuzzi, D. Roy, M. Terrones, C. Fantini, V. H. Crespi, L. M. Malard, and M. A. Pimenta, Nat. Commun. 8, 14670 (2017).
C. J. Nelin, F. Uhl, V. Staemmler, P. S. Bagus, Y. Fujimori, M. Sterrer, H. Kulenbeck, and H.-J. Freund, Phys. Chem. Chem. Phys. 16, 21953 (2014).
J. Li, H. Li, Z. Wang, and C. Zou, Appl. Phys. Lett. 102, 073114 (2013).
V. Jafarova, G. Orudzhev, R. Paucer, O. Alekperov, Y. G. Shim, K. Wakita, N. Mamedov, and N. Abdolayev, Phys. Status Solidi C 12, 664 (2015).
S. Piscanec, Phys. Rev. Lett. 93, 185503 (2004).
H. Rezania, Int. J. Mod. Phys. B 29, 1550025 (2015).
A. Politano, F. de Juan, G. Chiarello, and H. A. Fertig, Phys. Rev. Lett. 115, 075504 (2015).
H. Frolich, Adv. Phys. 3, 325 (1954).
A. B. Migdal, Sov. Phys. JETP 7, 996 (1958).
G. D. Mahan, Many Particle Physics, 3rd ed. (Plenum, New York, 1993), p. 295.
G. Grosso and G. P. Parravicini, Solid State Physics, 3rd ed. (Plenum, Singapore, 2000), p. 143.