Double-Gate Tunnel FET With High-$\kappa$ Gate Dielectric

IEEE Transactions on Electron Devices - Tập 54 Số 7 - Trang 1725-1733 - 2007
Kathy Boucart1, Adrian Ionescu2
1Swiss Fed. Inst. of Technol., Lausanne
2Swiss Federal Institute of Technology, Lausanne, Switzerland.#TAB#

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1109/TED.2005.846318

10.1143/JJAP.43.4073

10.1109/ICMEL.2006.1650911

10.1016/j.sse.2005.10.045

10.1109/DRC.2005.1553102

2005, International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS)

10.1109/IEDM.2002.1175851

10.1109/16.121690

2006, Atlas User's Manual

10.1109/16.902730

10.1109/55.791932

10.1063/1.114547

10.1063/1.1668321

10.1016/S0040-6090(00)00896-8

10.1016/j.sse.2004.04.006

10.1103/PhysRevLett.93.196805

10.1143/JJAP.31.L455

10.1016/0039-6028(78)90489-2

10.1143/JJAP.45.3106

10.1109/DRC.2005.1553099

10.1109/EDL.1987.26677

10.1109/ESSDER.2006.307718

10.1063/1.1565180