Ảnh hưởng của độ phân tán trong laser khóa chế độ không đồng nhất được kích hoạt

IEEE Journal of Quantum Electronics - Tập 38 Số 10 - Trang 1317-1324 - 2002
Wei Lu1, Li Yan1, C.R. Menyuk1
1Department of Computer Science and Electrical Engineering, University of Maryland, Baltimore, MD, USA

Tóm tắt

Chúng tôi đã nghiên cứu lý thuyết và thực nghiệm về các hiệu ứng độ phân tán trong một laser khóa chế độ không đồng nhất được kích hoạt. Trong vùng độ phân tán vận tốc nhóm dương (GVD) tích cực, laser tạo ra các xung không đồng nhất. Hiện tượng điều chế pha tự thân và độ phân tán cộng hưởng cản trở sự giảm thời gian xung khi GVD nhỏ hoặc gần bằng không. Một xung ổn định, giống soliton chỉ có thể được tạo ra khi GVD nằm trong một khoảng giá trị âm nhất định. Khi GVD âm quá nhỏ, laser chỉ tạo ra nhiều xung giống soliton do bộ lọc tăng cường quá mức. Khi GVD âm quá lớn, quá trình hình thành xung soliton thất bại và laser chỉ phát ra các xung không đồng nhất do bộ lọc tăng cường không đủ. Trong thí nghiệm, chúng tôi đã xác định một laser Nd:kính silicat khóa chế độ không đồng nhất được kích hoạt và xác nhận sự phụ thuộc vào GVD này. Laser tạo ra các xung tự duy trì, giống soliton ngắn tới 77 fs.

Từ khóa

#Dispersion #Laser mode locking #Optical pulse generation #Laser theory #Pulse modulation #Filtering #Resonance #Impedance #Solitons #Glass

Tài liệu tham khảo

agrawal, 1995, Nonlinear Fiber Optics 10.1364/OL.16.001961 10.1109/JQE.1983.1071789 10.1063/1.333273 10.1109/JQE.1984.1072501 10.1364/JOSAB.8.002068 10.1016/S0030-4018(01)01641-8 10.1364/JOSAB.8.002053 10.1364/JOSAB.12.000486 10.1109/JQE.1986.1072944 10.1109/3.40626 10.1364/OL.19.001149 lu, 2001, self-sustaining sub-100 fs pulse generation from an actively mode-locked nd : glass laser, OSA Trends Opt and Photon, 50, 582 10.1016/S0030-4018(99)00069-3 10.1109/3.83340 10.1109/3.594868 10.1109/JQE.1970.1076343