Kiểm tra nhiễu xạ của cấu trúc lớp phủ dựa trên thép chịu nhiệt trong các hình học đo lường khác nhau

Open Physics - Tập 9 Số 5 - 2011
Barbara Kucharska1
1Institute of Materials Engineering, Czestochowa University of Technology, 42-200, Czestochowa, Armii Krajowej 19, Poland

Tóm tắt

Tóm tắt

Các lớp phủ có thành phần của thép chịu nhiệt 310S được dop Al và Ir, được lắng đọng trên một cơ sở bằng thép giống hệt bằng phương pháp phun magnetron. Các phép đo đã được thực hiện trong hình học Bragg-Brentano cổ điển và bằng phương pháp GXRD. Với vị trí cố định và khác nhau của mẫu đã được phủ bằng cách quay mẫu qua các góc ψ. Các lớp phủ được lắng đọng và sau khi ngâm ở 400°C trong 15 phút đã được kiểm tra. Các kiểm tra được thực hiện đã cho thấy rằng các lớp phủ có thể có một cấu trúc độc đáo, tinh vi mà không ổn định và trải qua những thay đổi không thể đảo ngược ở nhiệt độ lên đến 400°C. Đã phát hiện thấy rằng trong các vùng lớp phủ ngoài cùng và các vùng gần với cơ sở, các khu vực xảy ra trong cấu trúc lớp phủ, có tham số mạng khác biệt so với pha cơ bản. Thêm vào đó, chu kỳ cục bộ của cấu trúc bằng 5.9 nm đã được tìm thấy.

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

B.D. Cullity, Elements of X-ray diffractions (Addison-Wesley, Massachusetts, 1978)

K.N. Stoev, K. Sakurai, Spectrochim. Acta B 54, 41 (1999)

T.C. Huang, Adv. X-ray Anal. 33, 91 (1990)

T. Noma, K. Takada, A. Iida, Adv. X-ray Anal. 42, 578 (2000)

H. Wu, B. Li, W. Miao, X. Liu, K. Tao, Surf. Coat. Tech. 149, 198 (2002)

T.C. Huang, P.K. Predecki, Adv. X-ray Anal. 40, 727 (1996)

L Lhotka, R. Kužel, G. Cappuccino, V. Valvoda, Surf. Coat. Tech. 148, 96 (2001)

B. Kucharska, E. Kulej, Arch. Metall. Mater. 55, 45 (2010)

K. Tanner, T.P.A. Hase, T.A. Lafforf, M.S. Goorsky, Adv. X-ray Anal. 47, 309 (2004)

K. Omote, J. Harada, Adv. X-ray Anal. 43, 192 (2000)

Committe on Beam Technologies: Opportunities in Attanding Fully-Integrated Processing Systems, Commission on Engineering and Technical Systems, National Research Council, National Academies Press, Washington, D.C. 1992

H. Geng, Semiconductor Manufacturing Handbook (McGraw-Hill Prof. Publ., Blacklick, OH, USA, 2005)

A. Anders, Thin Solid Films 518, 4087 (2010)

J.A. Thornton, Thin Solid Films 107, 3 (1983)

R. Messier, A.P. Giri, R.A. Roy, J. Vac. Sci. Technol. A 2, 500 (1984)

A.D. Pogrebnjak, A.P. Shpak, N.A. Azarenkov, V.M. Beresnev, Phys.-Usp. 52, 29 (2009)

J. Musil, Surf. Coat. Tech. 100–101, 280 (1998)

A.D. Pogrebnjak, A.P. Shpak, N.A. Azarenkov, V.M. Beresnev, Phys.-Usp. 175, 35 (2009)

B. Window, N. Savvides, J. Vac. Sci. Technol. A 4, 504 (1986)

R. Messier, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1538 (2000)

M.J. Godbole, A.J. Pedraza, L.F. Allard, G. Geesey, J. Mater. Sci. 27, 5585 (1992)

P.J. Grundy, J.M. Marsh, J. Mater. Sci. Lett. 13, 677 (1978)

R.I. Bates, R.D. Arnell, Surf. Coat. Tech. 89, 204 (1997)

S. Cusenza, C. Borchers, E. Carpene, P. Schaaf, J. Phys.-Condens. Mat. 19, 106211 (2007)

K.L Dahm, P.A. Dearnley, Surf. Eng. 12, 61 (1996)

S. Inoue, T. Saeki, H. Uchida, K. Koterazawa, M. Iwasa, Vacuum 66, 257 (2002)

A.A. Levin et al., J. Alloy. Compd. 347, 171 (2002)

Z. Liu, G. Wang, W. Gao, Mater. Charact. 54, 466 (2005)

N. Merakeb, J.-P. Eymery, A. Finidiki, Ph. Goudeau, B. Bouzabata, Mater. Sci. 58, 711 (2004)

X. Zhang et al., J. Mater. Res. 19, 1696 (2004)

B. Kucharska, Mater. Sci.-Poland 26, 181 (2008)

A.D. Pogrebnjak et al., Vacuum 81, 1243 (2007)

M. Danielewski, B. Wierzba, Acta Mater. 58, 6717 (2010)

B. Kucharska, Sol. St. Phen. 163, 247 (2010)

S. Bac et al., J. X-ray Sci. Technol. 5, 161 (1995)

Thông tin
Thông tin xuất bản

Open Physics

Tập 9 Số 5

Thông tin tác giả