Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Phát Triển Một Ma Trận Mới Dựa Trên Polymer Thang Silicone Cho Màng Nhạy Cảm Ion
Tóm tắt
Một polymer thang silicone đã được sử dụng thành công làm ma trận cho màng cảm biến ion để chế tạo một transistor trường nhạy cảm ion. Màng cảm biến ion đã được chế tạo dễ dàng bằng cách trộn một oligomer thang silicone với một muối amoni tứ, đổ lên cổng của transistor trường và polymer hóa bằng cách đun nóng. Vì không cần chất xúc tác acid để chuẩn bị màng cảm biến ion, nên có thể giữ muối amoni tứ trong ma trận mà không bị phân hủy. Transistor trường nhạy cảm ion dựa trên polymer thang silicone và muối amoni tứ cho thấy phản ứng tuyến tính với độ dốc là –58,1 mV thập kỷ–1, rất gần với phản ứng lý thuyết Nernst tại khoảng NO3– từ 3,0 × 10–6 đến 1,0 × 10–1 M. Thời gian cần thiết để đạt được 90% tổng phản ứng là trong vòng 5 giây, khi nồng độ NO3– thay đổi từ 1,0 × 10–3 đến 3,0 × 10–3 M. Các transistor trường nhạy cảm ion mới được chế tạo đã giữ nguyên độ nhạy ban đầu của chúng trong hơn nửa năm.
Từ khóa
#polymer thang silicone #màng cảm biến ion #transistor trường nhạy cảm ion #phản ứng Nernst #muối amoni tứ #độ nhạyTài liệu tham khảo
G. J. Moody, R. B. Oke, and J. D. R. Thomas, Analyst, 1970, 95, 910.
M. A. Arnold and R. L. Solsky, Anal. Chem., 1986, 58, 84R.
R. L. Solsky, Anal. Chem., 1990, 62, 21R.
G. Blackburn and J. Janata, J. Electrochem. Soc., 1982, 129, 2580.
K. Kimura, T. Matsuba, Y. Tsujimura, and M. Yokoyama, Anal. Chem., 1992, 64, 2508.
B. C. Dave, B. Dunn, J. S. Valentine, and J. I. Zink, Anal. Chem., 1994, 66, 1120A.
D. A. Nivens, Y. Zhang, and S. M. Angel, Anal. Chim. Acta, 1998, 376, 235.
S. Oka, O. Tawara, and H. Minakuchi, Shimadzu Corporation, Japan, Japan Patent 1984, JP-59–24245.
K. Kimura, H. Takase, S. Yajima, and M. Yokoyama, Analyst, 1999, 124, 517.
W. Kim, S. Chung, S. B. Park, S. C. Lee, C. Kim, and D. D. Sung, Anal. Chem., 1997, 69, 95.
J. F. Brown, Jr., L. H. Vogt, Jr., A. Katchman, J. W. Eustance, K. M. Kiser, and K. W. Krantz, J. Am. Chem. Soc., 1960, 82, 6194.
J. F. Brown, Jr., J. Polymer Sci. (C), 1963, 1, 83.
N. Yasuda, S. Yamamoto, and H. Akiyama, Mitsubishi Electric Corporation, Japan, Japan Patent 2000, JP-2000–150501.
K. Nagy and T. A. Fjeldy, Talanta, 1979, 26, 811.
M. Thompson, U. J. Krull, and P. J. Worsfold, Talanta, 1979, 26, 1015.
S. Wakida and Y. Ujihira, Anal. Sci., 1986, 2, 231.
C. W. Davies, J. Chem. Soc., 1938, 2093.
G. G. Guilbault, R. A. Durst, M. S. Frant, H. Freiser, E. H. Hansen, T. S. Light, E. Pungor, G. Rechnitz, N. M. Rice, T. J. Rohm, W. Simon, and J. D. R. Thomas, Pure Appl. Chem., 1976, 48, 127.
P. G. Sutton, J. Braven, L. Ebdon, and D. Scholefield, Analyst, 1999, 124, 877.
Y. Tsujimura, M. Yokoyama, and K. Kimura, Electroanalysis, 1993, 5, 803.
P. Sculthess, D. Ammann, B. Kräutler, C. Caderas, R. Stepánek, and W. Simon, Anal. Chem., 1985, 57, 1397.