Lắng đọng các lớp mỏng điện môi bằng cách chiếu xạ các hỗn hợp phản ứng ngưng tụ

Springer Science and Business Media LLC - Tập 335 - Trang 81-86 - 2011
J. F. Moore1, D. R. Strongin1, M. W. Ruckman2, M. Strongin2
1State University of New York, Stony Brook, New York, USA
2Physics Department, Brookhaven National Laboratory, Upton, New York, USA

Tóm tắt

Bài báo trình bày kết quả từ những cuộc điều tra đang diễn ra về một phương pháp mới để xử lý các chất rắn phân tử nhằm hình thành các lớp mỏng chịu nhiệt. Chúng tôi đã mở rộng nghiên cứu trước đây về sự phát triển của nitrua boron và alumina từ các chất rắn phân tử được kích thích bởi bức xạ đồng bộ (SR), đến sự phát triển của silica từ tetramethylsilane và nước ở nhiệt độ 80 K. Cũng được báo cáo là những thí nghiệm trong đó alumina được hình thành bằng cách chiếu xạ laser ở năng lượng 4.64 eV. Phần lớn các kết quả cho thấy rằng với SR, sự phát triển phim được kích thích bởi các electron thứ cấp từ nền tảng, trong khi ánh sáng laser kích thích sự phát triển của phim thông qua quá trình photolysis trực tiếp. Những hệ quả của điều này sẽ được thảo luận.

Từ khóa

#lớp mỏng điện môi #nitrua boron #alumina #silica #bức xạ đồng bộ #photolysis #kích thích electron thứ cấp #laser.

Tài liệu tham khảo

P. J. Love, R. T. Loda, R. A. Rosenburg, A. K. Green, and Rehn Victor, SPIE vol.459 Laser Assisted Deposition, Etching, and Doping, 25 (1984).

Zhang Jun-Ymg and Esrom Hilmar, Applied Surface Science 54, 465 (1992).

C. D. Stinespring and A. Freedman, SPIE vol.1190 Laser/Optical Processing of Electronic Materials, 35 (1989).

D. R. Strongin, J. K. Mowlem, M. W. Ruckman, and Strongin Myron. Appl. Phys. Let. 60, 2561 (1992).

D. R. Strongin, J. F. Moore and M. W. Ruckman. Appl. Phys. Let. 61, 729 (1992).

J. F. Moore, P. B. Comita, D. R. Strongin, M. W. Ruckman, and Strongin Myron, forthcoming publication.

M. L. Knotek, Springer Series in Chemical Physics v.24, 139 (1983).

Tery L. Barr. Appl. Surf. Sci. 15 (1983) 1–35.