Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Lập trình phim Carbon Giống Kim Cương bằng Phương Pháp Cấy Ion Dựa Trên Plasma với Xung Đối Xứng
Tóm tắt
Cấy ion dựa trên plasma (PBII) với các xung điện áp hai chiều đã được đề xuất để cải thiện độ đồng đều của liều liệu trong quá trình cấy ion lên bề mặt mục tiêu ba chiều. Một plasma phát sáng pulsed được tạo ra quanh bề mặt mục tiêu nhờ vào xung điện áp dương cao, sau đó các ion được cấy vào mục tiêu từ tất cả các phía nhờ vào xung điện áp âm cao tiếp theo. Mật độ plasma theo thời gian và hồ sơ không gian của plasma phát sáng pulsed được đo bằng đầu dò Langmuir trong chế độ hòm xe, và các phim carbon giống kim cương (DLC) được lắng đọng dưới các điều kiện tối ưu của plasma pulsed. Kết quả cho thấy phương pháp PBII với các xung đối xứng là một phương pháp hữu ích trong việc lắng đọng các phim DLC lên mục tiêu ba chiều. Quy trình cấy ion carbon dẫn đến sự cải thiện độ bám dính của lớp phủ DLC lên mục tiêu, và sự gia tăng độ bám dính này là do bề mặt giao diện carbon thành phần được tạo ra bởi quá trình cấy carbon.
Từ khóa
#Cấy ion #Plasma #Phim carbon giống kim cương #Xung đối xứng #Độ bám dínhTài liệu tham khảo
G. Keller, M. Paulus, S. Mandl, B. Strizker, B. Rauschenbach, Nucl.Instrum.Meth. B148,64(1999).
K.C. Walter, M. Nastasi, C. Munson, Surf. Coat. Technol. 93,287(1997).
G.W. Malaczynski, A.A. Elmoursi, C.H. Leung, A.H. Hamdi, A.B. Campbell, J.Vac.Sci.Technol. B17,813(1999).
M. Tuszewski, J.T. Scheuer, R.A. Adler, Surf. Coat.Tech. 93,203(1997).
S. Miyagawa, S. Nakao, K. Saitoh, K. Baba, Y. Miyagawa, Surf.Coat.Technol. 128/129,260(2000).
M.B. Hopkins, J.Res. Natl.Inst. Stand. Technol. 100,415(1995).
Y. Miyagawa, M. Ikeyama, K. Saitoh, S. Nakao, S. Miyagawa, Surf. and Coat. Technol. 83, 275(1996).
K. Baba, R. Hatada, Surf. and Coat. Technol. 103/104,235(1998).
W. Jacob, Thin Solid Films 326, 1(1998).