Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Nhiệt Độ Lắng Đọng và Các Tính Chất Quang Điện Của Các Phim a-Si:H
Tóm tắt
Trong nghiên cứu này, sự thay đổi các tính chất quang-điện tử của các phim a-Si:H nội tại theo chức năng của nhiệt độ lắng đọng đã được điều tra thông qua các phép đo độ dẫn quang tạm thời sử dụng kỹ thuật Độ dẫn vi sóng theo thời gian không tiếp xúc (TRMC). Cả các phép đo TRMC tại chỗ và ngoài chỗ sẽ được trình bày. Kết luận cho thấy rằng độ di chuyển electron của các phim a-Si:H lắng đọng trong khoảng nhiệt độ từ 200° C đến 300° C không phụ thuộc vào nhiệt độ lắng đọng. Đối với các nhiệt độ dưới 200° C, độ di chuyển electron giảm khi nhiệt độ lắng đọng giảm. Sự kết tinh lại các tính chất quang-điện tử của các phim a-Si:H nội tại lắng đọng ở nhiệt độ thấp hơn được quan sát.
Từ khóa
#a-Si:H #tính chất quang-điện tử #độ di chuyển electron #nhiệt độ lắng đọng #TRMCTài liệu tham khảo
A. Madan and M. P. Shaw, The Phvsics and Applications of Amorphous Semiconductors, (Academic Press, Boston, 1988).
M. Kunst and H. -C. Neitzert, J. Appl. Phys. 69, 8320 (1991).
M. Kunst and A. Werner, J. Appl. Phys. 58, 2236 (1985).
W. E. Spear, in Amorphous Silicon and Related Materials, ed. by H. Fritzsche, (World Scientific, Singapore, 1989), p. 721.
A. Mourchid, R. Vanderhaghen, D. Hulin and P. M. Fauchet, Phys. Rev. B 42, 7667 (1990).
A. Esser, K. Seibert, H. Kurz, G. N. Parsons, C. Wang, B. N. Davidson, G. Lucovsky and R. J. Nemanich, Phys. Rev. B 41, 2879 (1990).
A. Werner, M. Kunst, G. Beck, J. Lilie and H. Tributsch, Solid State Comm. 56, 127 (1985).