Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Sự suy giảm và phục hồi của các đi-ốt Si bằng proton 20-Mev và hạt carbon 220-Mev
Tóm tắt
Kết quả nghiên cứu về sự suy giảm hiệu suất điện của các đi-ốt Si n+p bị ô nhiễm sắt, tiếp xúc với bức xạ carbon 220-MeV được trình bày. Dòng điện ngược của các đi-ốt tăng lên sau khi bức xạ, trong khi điện dung và do đó nồng độ pha tạp giảm. Các thành phần diện tích và viền của dòng rò được trích xuất từ các đi-ốt có tỷ lệ diện tích trên chu vi khác nhau. Cả thời gian tạo ra và thời gian tái hợp tính toán từ đặc tính I/V và C/V cũng giảm. Các mức sâu trong nền Si do bức xạ gây ra là nguyên nhân chính cho sự suy giảm hiệu suất của đi-ốt. Thiệt hại do bức xạ cũng được nghiên cứu cho các electron 1-MeV và neutron nhanh 1-MeV. Sự suy giảm hiệu suất cho bức xạ carbon lớn gấp ba lần so với bức xạ electron. Sự khác biệt trong thiệt hại do bức xạ được giải thích bởi sự khác biệt trong số lượng atom bị va chạm và tổn thất năng lượng không ion hóa (NIEL), điều này được quy cho sự khác biệt về khối lượng và khả năng va chạm hạt nhân với các atom Si mục tiêu.
Từ khóa
#diode Si #bức xạ carbon #hiệu suất điện #dòng điện rò #thời gian tái hợp #bức xạ electron #neutron nhanhTài liệu tham khảo
A. L. R. Rotondaro, E. Vandamme, J. Vanhellemont et al., Solid State Phenomena, 47-48, 397 (1996).
H. Ohyama, E. Simoen, C. Claeys et al., Phys. Stat. Sol. a, 107, 429 (1996).
H. Ohyama, E. Simoen, C. Claeys et al., in Crystalline Defects and Contamination: Their Impact and Control in Device Manufacturing II, eds., B. O. Kolbesen, P. Stallhofer, C. Claeys and F. Tardiff, Electrochem. Soc. Ser., Pennington, PV-97-22, 143 (1997).
J. Ryuta et al., Jpn. J. Appl. Phys., 31, 2338 (1992).
A. L. R. Rotondaro, T. Hurd, A. Kaniava et al., J. Electrochem. Soc., 143, 3014 (1996).
J. Vanhellemont, E. Simoen and C. Claeys, Appl. Phys. Lett., 66, 2894 (1995).
H. Ohyama, J. Vanhellemont et al., IEEE Trans. on Nucl. Sci., 43, 3019 (1996).
H. Ohyama, J. Vanhellemont et al., Appl. Phys. Lett., 69, 2429 (1996).