Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Sự Thư Giãn của Các Khuyết Tật Sâu Trong Silicon Amorphous Hydro hóa: Bằng Chứng Thí Nghiệm Mới và Các Hệ Quả
Tóm tắt
Chúng tôi xem xét các thí nghiệm dòng điện quang điều chế cho thấy rằng tỷ lệ phát xạ nhiệt đối với các khuyết tật Do trong các mẫu nội tại thay đổi theo phản ứng với những thay đổi của mức Fermi hoặc vị trí quasi-Fermi. Sự dịch chuyển năng lượng rõ ràng này được xác nhận bằng cách sử dụng quang phổ phân giải thời gian dưới ngưỡng băng. Chúng tôi cũng chứng minh rằng sự biến đổi của tỷ lệ phát xạ với những thay đổi của vị trí mức Fermi, nếu có trong khu vực cạn kiệt gần một tiếp giáp rào cản, phù hợp với các chi tiết của sự phụ thuộc nhiệt độ của độ dẫn điện của tiếp giáp trong các mẫu nội tại.
Từ khóa
#khuyết tật sâu #silicon amorphous hydro hóa #điện quang #mức Fermi #quang phổ phân giải thời gianTài liệu tham khảo
J.D. Cohen, T.M. Leen, and R.J. Rasmussen, Phys. Rev. Lett. 69, 3358 (1992).
M.W. Carlen, Y. Xu, and R.S. Crandall, Phys. Rev. B51, 2173 (1995).
J. D. Cohen and F. Zhong, J. Non-Cryst. Solids 190, 123 (1995).
J.D. Cohen and Fan Zhong, J. Non-Cryst. Solids 198-200, 512 (1996).
J.D. Cohen and D. Kwon, J. Non-Cryst. Solids, in press.
D. Kwon and J.D. Cohen, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 467, 197 (1997).
C.E. Michelson, A.V. Gelatos, and J.D. Cohen, Appl. Phys. Lett. 47, 412 (1987).
H. Oheda, J. Appl. Phys. 52, 6693 (1981).
R. Brüggemann, C. Main, J. Berkin, and S. Reynolds, Philos. Mag. B 62, 29 (1990).
A.V. Gelatos, J.D. Cohen, and J.P. Harbison, Appl. Phys. Letters 49, 722 (1986).
A.V. Gelatos, K.K. Mahavadi, J.D. Cohen, and J.P. Harbison, Appl. Phys. Lett. 53, 403 (1988).
J.D. Cohen and D.V. Lang, Phys. Rev. B25, 5321 (1982).
R.A. Abram and P.J. Doherty, Philos. Mag.B 45, 167 (1982).
E.A. Schiff, H.M. Branz, D. Han, D.C. Melcher, and M. Silver, J. Non-Cryst. Solids 164-166, 331 (1993).