Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Khắc phục ăn mòn không hư hỏng GaN với sự hỗ trợ của ánh sáng
Tóm tắt
Việc ăn mòn GaN mà không gây hư hỏng bằng Cl2, được hỗ trợ bởi một laser excimer ArF (193 nm), đã được chứng minh. Ở nhiệt độ thấp, việc ăn mòn hỗ trợ ánh sáng có thể cung cấp tỷ lệ ăn mòn tốt hơn và cải thiện đáng kể hình thái bề mặt cũng như chất lượng. Kết quả AFM cho thấy bề mặt GaN đã được ăn mòn đạt độ gồ ghề bình phương trung bình là 1.7 nm. So với quang phổ phát quang của GaN được ăn mòn ướt bằng quang điện hóa, ăn mòn lạnh hỗ trợ ánh sáng được chứng minh là một kỹ thuật ăn mòn khô không hư hỏng.
Từ khóa
#GaN #Etching #Cl2 #Laser excimer #Ảnh hưởng quang học #Kỹ thuật ăn mòn khô.Tài liệu tham khảo
A. T. Ping, A. C. Schmitz, M. Asif Khan and I. Adesida, J. Electronic Materials 25, 825 (1996).
S. J. Pearton, C. B. Vartuli, R. J. Shul and J. C. Zolper, Mater. Sci. Eng. B31, 309 (1995).
H. Cho, C. B. Vartuli, S. M. Donovan, J. D. Mackenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. J. Shul, and C. Constantine, J. Electronic Material 27, 166 (1998).
M. C. Shih, M. B. Freiler, R. Scarmozzino and R. M. Osgood Jr., J. Vac. Sci. Technol. B13, 43 (1995).
R. T. Leonard and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 68, 794 (1996).
D. R. Lide, CRC Handbook of Chemistry and Physics (Boca Raton: CRC press, 1992), p. 9–129.
J. Neugebauer and C. G. Van De Walle, Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1996).
M. S. Minsky, M. White, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett. 68, 1531 (1996).
C. Youtsey, I. Adesida and G. Bulman, Appl. Phys. Lett. 71, 2151 (1997).
R. J. Shul, G. B. McClellan, S. J. Pearton, C. R. Aberbathy, C. Constantine and C. Barratt, Electronics Letters, 32, 1408 (1996).
H. Cho, J. Hong, T. Maeda, S. M. Donovan, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. J. Shul, and J. Han, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 5 (1998).
C. Youtsey, L. T. Romano and I. Adesida, Appl. Phys. Lett. 73, 797 (1998).