Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Quang phổ công suất tiếng ồn dòng cho cảm biến photodiode silicon vô định hình
Tóm tắt
Các mảng hình ảnh ô pixel hóa bao gồm cảm biến photodiode silicon vô định hình (a-Si:H) và transistor hiệu ứng trường đang được phát triển cho hình ảnh tia X. Đối với các mảng này, việc định lượng các đặc tính tiếng ồn của cảm biến rất quan trọng vì chúng có thể, trong một số trường hợp, hạn chế hiệu suất của mảng cho một số ứng dụng nhất định. Quang phổ công suất tiếng ồn dòng của các cảm biến a-Si:H p-i-n có độ dày khoảng 1 μm với các diện tích khác nhau được trình bày. Quang phổ công suất được đo cho các điện áp đảo khác nhau trên một dải tần số khoảng 0,01 đến 1,0 Hz. Quang phổ công suất cho thấy tiếng ồn chủ yếu được cấu thành từ tiếng ồn nhấp nháy. Tiếng ồn nhấp nháy cho thấy sự phụ thuộc l/fb trong đó b dao động từ khoảng 1,1 đến 1,2. Độ lớn của tiếng ồn nhấp nháy như một hàm của dòng rò cảm biến và diện tích cảm biến đã được nghiên cứu và trình bày.
Từ khóa
#phân tích tiếng ồn #cảm biến photodiode silicon vô định hình #quang phổ công suất #tiếng ồn nhấp nháy #hình ảnh tia XTài liệu tham khảo
L. E. Antonuk {etet al.}., Med. Phys. 19 (6), 1455 (1992).
G. Cho {etet al.}., Mat. Res. Soc. Proc. 192, 393 (1990).
G. Cho {etet al.}., IEEE Trans. Nucl. Sei. 39 (4), 641 (1992).
F. N. Hooge, Phys. Lett. 29A, 139 (1969).
F. N. Hooge {etet al.}., Rep. Prog. Phys. 44, 31 (1981).
L. E. Antonuk {etet al.}., to appear in the conference proceedings of SPIE Medical Imaging VII: Physics of Medical Imaging, Newport Beach, CA, February, 1993.
M. J. Buckingham, Noise in electronic devices and systems, (Ellis Horwood Limited, West Sussex, 1983), p. 32.
A. van der Ziel, Advances in Electronics and Electron Physics 49, 225 (1979).
P. O. Lauritzen, IEEE Trans. ED-15, 770 (1968).
S. M. Sze, Physics of semiconductor devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981), p. 850.