Correlations between the thermoelectric power and Hall effect of Sn or Ge doped In2O3 semiconductors

Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology - Tập 22 - Trang 274-278 - 1994
G. Campet1, S.D. Han1, S.J. Wen1, M.C.R. Shastry1, B. Chaminade1, E. Marquestaut1, J. Portier1, P. Dordor1
1Laboratoire de Chimie du Solide du CNRS, Université de Bordeaux I, 351 cours de la Libération, 33405 Talence Cedex, France

Tài liệu tham khảo

Thông tin
Thông tin xuất bản

Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology

Tập 22

274-278

Thông tin tác giả