Sửa chữa: Nghiên cứu các tính chất quang điện hóa của các tỷ lệ khác nhau của In trong InxGa1-xN trong quá trình khử CO2

Research on Chemical Intermediates - Tập 48 - Trang 1305-1306 - 2021
Guifeng Chen1,2, Huan Li1, Hui Zhang1,3, Jintian Liu1, Luxiao Xie1, Xinjian Xie1, Guodong Liu1,2
1School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China
2Hebei Engineering Laboratory of Photoelectronic Functional Crystals, Hebei University of Technology, Tianjin, China
3Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and NanoBionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, China

Tóm tắt

Trong Hình 5(b), In0.009GaN0.0991/GaN nên được sửa thành In0.071GaN0.0929/GaN. Tác giả xin lỗi vì lỗi này.

Từ khóa


Thông tin
Thông tin xuất bản

Research on Chemical Intermediates

Tập 48

1305-1306

Thông tin tác giả