Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Độ dẫn điện của dây dẫn quanh co
Tóm tắt
Trong những năm gần đây, sự chú ý mạnh mẽ đã được tập trung vào các tính chất quang học và vận chuyển của các cấu trúc bán dẫn dị thể do khả năng điều chỉnh các tham số vật liệu như khối lượng hiệu dụng của electron và khoảng cách băng, thông qua việc thay đổi các tham số cấu trúc. Kết quả thí nghiệm gần đây về các cấu trúc InxGa1−xAs không thể được giải thích trong khuôn khổ các phương pháp lý thuyết và mô phỏng tiêu chuẩn trong việc mô tả sự vận chuyển của các hạt giữa các giếng lượng tử. Để có cái nhìn tốt hơn về ảnh hưởng của độ nhám bề mặt đối với độ dẫn điện, chúng tôi đã xem xét các dây dẫn lượng tử quanh co và đã tính toán các đặc tính vận chuyển hợp nhất của chúng. Chúng tôi thấy rằng, ở năng lượng thấp, hệ số truyền dẫn chịu sự phụ thuộc mạnh vào các tham số độ nhám bề mặt. Sự phụ thuộc của độ dẫn điện vào chiều dài của thiết bị cũng được phân tích.
Từ khóa
#thuộc tính quang học #cấu trúc bán dẫn #độ nhám bề mặt #dây dẫn lượng tử #độ dẫn điệnTài liệu tham khảo
Capotondi, F., Biasiol, G., Ercolani, D., Carlino, E., Romanato, F., Sorba, L.: Strain induced effects on the transport properties of metamorphic InAlAs/InGaAs quantum wells. Thin Solid Films 484, 400 (2005).
Capotondi, F., Biasion, G., Ercolani, D., Sorba, L.: Scattering mechanisms in undoped In0.75Ga0.25As/In0.75Al0.25As two-dimensional electron gases. J Cryst. Growth 278, 538 (2005).
Gold, A.: Electron transport properties of a two-dimensional electron gas in a silicon quantum-well structure at low temperature. Phys. Rev. B 35, 723 (1987).
Gold, A.: Scattering time and single-particle relaxation time in a disordered two-dimensional electron gas. Phys. Rev. B 38, 10798 (1988).
Ando, T., Fowler, A., Stern, F.: Electronic properties of two-dimensional systems. Rev. Mod. Phys. 54, 437 (1982).
Lavoie, C., Pinnington, T., Nodwell, E., Teidje, T., Goldman, R.S., Kavanach, K.L.: Relationship between surface morphology and strain relaxation during growth of InGaAs strained layers. Appl. Phys. Lett. 67, 3744 (1995).
Yamamoto, N., Mita, T., Heun, S., Franciosi, A., Bonard, J.M.: Cathodo luminescence from In x Ga1−x As Layers Grown on GaAs Using a Transmission Electron Microscope. MRS proceedings 588, 245 (2000).
Lent, C.S., Kirkner, D.J.: The quantum transmitting boundary method. J Appl. Phys. 67, 6353 (1990).
HSL library web site: http://www.cse.clrc.ac.uk/nag/hsl/