Tích tụ ứng suất nén trong màng bilayer composite vàng nanoporous và silicone: Cơ chế tiềm ẩn và biện pháp khắc phục

Springer Science and Business Media LLC - Tập 1052 - Trang 1-6 - 2008
Erkin Seker1,2, Ling Huang1, R. Begley Matthew3,4, Hilary Bart-Smith3, G. Kelly Robert4, Giovanni Zangari4, L. Reed Michael2, Marcel Utz3
1Department of Chemistry, University of Virginia, Charlottesville, USA
2Department of Electrical and Computer Engineering, University of Virginia, Charlottesville, USA
3Department of Mechanical and Aerospace Engineering, University of Virginia, Charlottesville, USA
4Department of Materials Science and Engineering, University of Virginia, Charlottesville, USA

Tóm tắt

Bài báo này phác thảo một phương pháp đơn giản để chế tạo một màng bilayer bao gồm một lớp vàng nanoporous mỏng được ngâm trong polydimethylsiloxane chưa đóng rắn. Kỹ thuật chế tạo mang lại độ bám dính tuyệt vời nhờ cơ chế liên kết cơ học giữa lớp xốp và elastomer, cũng như độ dẫn điện tuyệt vời lên đến 25% độ biến dạng, mặc dù có mô đun đàn hồi hiệu quả rất thấp (∼1.35 MPa) do sự nứt của lớp vàng nhúng. Ban đầu, các màng tròn tự do thể hiện sự uốn cong đáng kể ra khỏi mặt phẳng, gây khó khăn trong việc trích xuất các thuộc tính cơ học của màng. Các cơ chế tích tụ ứng suất nén dẫn đến sự uốn cong của màng và các biện pháp phòng ngừa nó được thảo luận.

Từ khóa

#màng bilayer #vàng nanoporous #polydimethylsiloxane #ứng suất nén #cơ chế uốn cong #thuộc tính cơ học

Tài liệu tham khảo

S. P Lacour, J. Jones, Z. Suo, S. Wagner, IEEE Electr. Device. L. 25, 179 (2004). M. R Begley, M. Utz, U. Komaragiri, J. Mech. Phys. Solids 53, 2119 (2005). S-H Lim, D. Raorane, S. Satyanarayana, A. Majumdar, Sensor. Actuat. B-Chem 119, 466 (2006). M. R Begley, J. Micromech. Microeng. 15, 2379 (2005). R. Pelrine, R. Kornbluh, J. Joseph, R. Heydt, Q. Pei, S. Chiba, Mater. Sci. Eng. C11, 89 (2000). S. P Lacour, D. Chan, S. Wagner, T. Li, Z. Suo, Appl. Phys. Lett. 88, 204103 (2006). J. Engel, J. Chen, N. Chen, S. Pandya, C. Liu, IEEE 19th MEMS Conference, Istanbul, Turkey, January 2006, pp. 246–249 Y. Wu, T. Zhang, H. Zhang, X. Zhang, Z. Deng, G. Zhou, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B 169, 89 (2000). P. Dubois, S. Rosset, S. Koster, J. Stauffer, S. Mikhailov, M. Dadras, N-F. de Rooij, H. Shea, Sensor. Actuat. A-Phys. 130, 147 (2006). E. Seker, M. L Reed, M. Utz, M. R Begley, Appl. Phys. Lett. (in review). Y. Ding, Y. Kim, J. Erlebacher, Adv. Mater. 16, 1897 (2004). E. Seker, M. R Begley, M. L Reed, M. Utz, Appl. Phys. Lett. (in review). E. Seker, J. T Gaskins, H. Bart-Smith, J. Zhu, M. L Reed, G. Zangari, R. G Kelly, M. R Begley, Acta Mater. 55, 4593 (2007).