So sánh sự hình thành tiếp xúc ohmic của titan và zircon trên kim cương pha boron

Springer Science and Business Media LLC - 2018
V. Mortet1,2, A. Taylor2, M. Davydova2, L. Fekete2, Z. Vlčková Živcová3, L. Klimša2, N. Lambert2, P. Hubík2, D. Trémouilles4, A. Soltani5
1Czech Technical University, Faculty of Biomedical Engineering, Kladno, Czech Republic
2Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences, Czech Republic
3J. Heyrovsky Institute of Physical Chemistry of the Czech Academy of Sciences, Czech Republic
4LAAS-CNRS, Université de Toulouse, CNRS, Toulouse, France
5LN2, Université de Sherbrooke, 3000 Boul. de l’Universite, Sherbrooke, Canada

Tóm tắt

Với khả năng tương tác cao với carbon so với titan và một loại carbide dẫn điện, zircon có tiềm năng hình thành tiếp xúc ohmic trên kim cương pha boron. Trong nghiên cứu này, sự hình thành tiếp xúc ohmic trên kim cương pha boron bằng zircon được phân tích so với titan. Các lớp epitaxy kim cương pha boron đã được phát triển bằng phương pháp lắng đọng hóa hơi hóa học được tăng cường bởi plasma vi sóng với tỷ lệ B/C khác nhau. Các cấu trúc Mô hình đường truyền vòng đã được chế tạo bằng cách sử dụng các công nghệ chế tạo vi chuẩn. Điện trở tiếp xúc cụ thể của các tiếp xúc được chế tạo đã được xác định cho các nồng độ boron khác nhau và cho các nhiệt độ xử lý nhiệt khác nhau. Tiếp xúc ohmic sử dụng zircon được hình thành sau khi xử lý nhiệt ở 400 °C. Điện trở tiếp xúc cụ thể giảm ổn định với việc xử lý nhiệt ở nhiệt độ cao xuống còn khoảng 1 mΩ.cm2 sau khi xử lý ở 700 °C cho kim cương pha boron có hàm lượng boron cao. So với đó, tiếp xúc titan chế tạo trên kim cương pha boron có độ pha chế cao có vẻ không ổn định dưới nhiệt độ xử lý cao.

Từ khóa

#kiểm soát tiếp xúc ohmic #zircon #titan #kim cương pha boron #điện trở tiếp xúc cụ thể

Tài liệu tham khảo

Y. Koide, M. Yokoba, A. Otsuki, F. Ako, T. Oku, M. Murakami, Diamond Relat. Mater. 6, 847 (1997).

K. Das, V. Venkatesan, K. Miyata, D.L. Dreifus, J.T. Glass, Thin Solid Films 212, 19 (1992).

A. Traoré, P. Muret, A. Fiori, D. Eon, E. Gheeraert, J. Pernot, Appl. Phys. Lett. 104, 052105 (2014).

S.R. Shatynski, Oxid Met. 13, 105 (1979).

J.H. Klootwijk, C.E. Timmering, Merits and limitations of circular TLM structures for contact resistance determination for novel III-V HBTs, Proc. 2004 Int. Conf. Microelectron. Test Struct. 17, 8 (2004).

V. Mortet, Z. Vlčková Živcová, A. Taylor, O. Frank, P. Hubík, M. Davydova D. Trémouilles, F. Jomar, J. Barjon, L. Kavan, Refined analysis of boron doped diamond Raman spectrum. 28th International Conference on Diamond and Carbon Materials, Gothia Towers, Gothenburg, Sweden.

V. Mortet, J. Pernot, F. Jomard, A. Soltani, Z. Remes, J. Barjon, J. D’Haen, K. Haenen, Diamond Relat. Mater. 53, 29 (2015).

C. Johnston, P.R. Chalker, I.M. Buckley-Golder, M. van Rossum, M. Werner, E. Obermeier, Mater Sci Eng B. 29, 206 (1995).

J. Nakanishi, A. Otsuki, T. Oku, O. Ishiwata, M. Murakami, J. Appl. Phys. 76, 2293 (1994).

Thông tin
Thông tin xuất bản

Springer Science and Business Media LLC

Thông tin tác giả