Nghiên cứu nhiệt động học so sánh hệ Ga–In–Sb

Journal of Thermal Analysis - Tập 103 - Trang 1105-1109 - 2010
Lidija Gomidželović1, Dragana Živković2, Ana Kostov1, Aleksandra Mitovski2, Ljubiša Balanović2
1Mining and Metallurgy Institute Bor, Bor, Serbia
2Technical Faculty, University of Belgrade, Bor, Serbia

Tóm tắt

Bài báo này trình bày kết quả phân tích nhiệt động học so sánh của hệ Ga–In–Sb. Các nghiên cứu được thực hiện tại góc Ga với tỷ lệ mol của In:Sb bằng 1:1, đã được tiến hành thực nghiệm bằng cách sử dụng phép đo nhiệt Oelsen ở nhiệt độ 873 K và phân tích thông qua các phương pháp tính toán khác nhau—Toop và Muggianu, trong khoảng nhiệt độ từ 873 đến 1673 K. Năng lượng Gibbs mol dư thừa và hoạt tính của tất cả các thành phần trong khoảng nhiệt độ đã chỉ định đã được tính toán.

Từ khóa

#Nhiệt động học #hệ Ga–In–Sb #năng lượng Gibbs #hoạt tính #phép đo nhiệt Oelsen #phân tích nhiệt độ.

Tài liệu tham khảo

Joullie A, Aulombard R, Bougnot G. Growth of GaxIn1-xSb liquid phase epitaxial layers from a knowledge of the ternary phase diagram. J Cryst Growth. 1974;24/25:276–81. Blom GB, Plaskett TS. The In–Ga–Sb ternary phase diagram. J Electrochem Soc. 1971;118(2):1831–4. Antypas G. Liquidus and solidus data at 500 °C for the In–Ga–Sb system. J Cryst Growth. 1972;16:181–2. Miki H, Segawa K, Otsubo M, Shirahata K, Fujibayashi K. The Ga–In–Sb ternary phase diagram at low growth temperature Japanese. J Appl Phys. 1978;17(12):2079–84. Gorshkov IY, Goryunova NA. Determination of phase equilibria in Ga–In–Sb alloys. Zh Neorg Khim. 1958;3:668–71. Ufimtsev VB, Kostin GV, Timoshin AS. Ga–In–Sb phase diagram investigation. Neorg Met. 1971;7:2029–34. Woolley JC, Lees DG. Equilibrium diagrams with InSb as one component. J Less-Common Met. 1959;1:192–8. Joulliě A, Dedies R, Chevrier J, Bougnot G. Diagramme de phases et croissance par épitaxie en phase liquide du GaxIn1-xSb. Rev Phys Appl. 1974;9:455–63. Ansara I, Gambino M, Bros J-P. Étude thermodynamique du système ternaire gallium–indium–antimoine. J Cryst Growth. 1976;32:101–10. Vecher AA, Voronova EI, Mechkovskii LA, Skoropanov AS. Calorimetric measurements of enthalpy of mixing in liquid state. Zh Neorg Khim. 1974;48(4):584–8. Aselage TL, Anderson TJ. Partial Gibbs energy of liquid gallium measurements using the EMF method. High Temp Sci. 1985;20:207–30. Chang KM, Coughanowr CA, Anderson TJ. Determination of the gallium activity in the gallium–indium–antimony pseudobinary liquid mixture by a solid state electrochemical method. Chem Eng Commun. 1985;38:275–97. Rugg BC, Bryant AW, Silk NJ, Argent BB. Calorimetric measurements of the enthalpies of formation and of mixing of II/VI and III/V compounds. Calphad. 1995;19(3):389–98. Mechkovskii LA, Savitskii AA, Skums VF, Vecher AA. Enthalpy of mixing for pseudo binary solid solution (Ga, In) Sb. Zh Neorg Khim. 1971;45(8):2016–25. Katayama I, Nakayama J-I, Ikura T, Tanaka T, Kozuka Z, Iida T. Measurement of activity of gallium in Ga–Sb–In alloys by emf method using zirconia as solid electrolyte. J Non Cryst Solids. 1993;156–158:393–7. Jianrong Y, Watson A. An assessment of phase diagram and thermodynamic properties of the gallium–indium–antimony system. Calphad. 1994;18(2):165–75. Yu T-C, Brebrick RB. Thermodynamic analysis of the In–Ga–Sb system. Met Mater Trans A. 1994;25A:2331–40. Gomidželović L, Živković D, Mihajlović I. Thermodynamic analysis of ternary system Ga–In–Sb. Hemijska Industrija. 2008;62(3):153–60. Živković D, Minić D, Manasijević D, Kostov A, Talijan N, Balanović LJ, Mitovski A, Živković Ž. Thermodynamic analysis and characterization of alloys in Bi–Cu–Sb system. J Min Metall B. 2010;46(1B):105–12. Gomidželović L, Živković D. Thermodynamic analysis of AuIn–Sb system using Oelsen calorimetry and predicting methods. J Therm Anal Calorim. 2009;98:743–8. Oelsen W, Zuhlke P. Zur thermodynamischen analyse VIII. Arch Eisenhuttenwess. 1956;27:743–54. Oelsen W, Schurmann E, Weigt HJ, Oelsen O. Zur thermodynamischen analyse IV. Arch Eisenhuttenwess. 1956;27:487–511. Oelsen W, Bieret F, Schwabe G. Zur thermodynamischen analyse II. Arch Eisenhuttenwess. 1956;27:607–20. Chou KC. A general solution model for predicting ternary thermodynamic properties. Calphad. 1995;19(3):315–25. Chou KC, Li WC, Li F, He M. Formalism of new ternary model expressed in terms of binary regular-solution type parameters. Calphad. 1996;20(4):395–406. Toop GW. Predicting ternary activities using binary data. Trans Met Soc AIME. 1965;233:850–5. Muggianu YM, Gambino M, Bross JP. Enthalpies of formation of liquid alloys bismuth–gallium–tin at 723 K. Choice of an analytical representation of integral and partial excess functions of mixing. J Chim Phys Physicochim Biol. 1975;72:83–8. Anderson TJ, Ansara I. The Ga–In (gallium–indium) system. J Phase Equilib. 1991;12(1):64–72. Ansara I, Chatillon C, Lukas HL, Nishizawa T, Ohtani H, Ishida K, Hillert M, Sundman B, Argent BB, Watson A, Chart TG, Anderson T. A binary database for III–V compound semiconductor systems. Calphad. 1994;18(2):177–222.