Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Đặc điểm so sánh giữa các cảm biến GaAs và cảm biến pixel silicon với khuếch đại nội bộ
Tóm tắt
Phân tích so sánh giữa các cảm biến bức xạ bán dẫn GaAs và các cảm biến pixel silicon với khuếch đại nội bộ được phát triển để phát hiện bức xạ hạt nhân được thực hiện. Các đặc tính điện vật lý và quang phổ được so sánh. Cả hai loại cảm biến đều có độ nhạy cao đối với bức xạ α, β và γ và có thể được áp dụng trong các thí nghiệm không gian và gia tốc để xác định năng lượng của các hạt cơ bản, cũng như trong thiên văn học, viễn kính electron truyền và phản xạ, y học, sinh học, và nhiều lĩnh vực khác.
Từ khóa
#GaAs #cảm biến bức xạ #bán dẫn #khuếch đại nội bộ #bức xạ hạt nhân #thiên văn học #viễn kính electron.Tài liệu tham khảo
G.F.Dalla Betta et al., Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, A458 (2001), p. 275–280.
G. I. Koltsov, V. N. Murashev, R. A. Mukhamedshin and A. P. Chubenko, Collected articles “IT in a science, the engineering and education” MSAIECS, 3–11 (2005)
V. Chmill et al., Nucl. Instr. and Methods in Phys. Res., A438 (1999), p. 362– 367.
Ayzenshtat G. I., Bakin N. N., Budnitsky D. L. et al., Nucl. Instr. and Methods in Phys. Res., A466 (2001), p. 25– 32.