Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Đánh Giá Kết Hợp Quang Học, Cấu Trúc và Lý Thuyết của Nhiều Giếng Lượng Tử GaAs Được Trồng Bằng MOCVD
Tóm tắt
Một nghiên cứu kết hợp giữa tính toán lý thuyết và đo lường thực nghiệm, bao gồm tán xạ Raman, phát quang quang học và kính hiển vi điện tử truyền xuyên màng (cross sectional transmission electron microscopy), đã được thực hiện trên các cấu trúc giếng lượng tử đa lớp GaAs-AlxGai1−xAs (MQW) với các độ dày giếng khác nhau được phát triển bằng phương pháp MOCVD (tổng hợp hơi hóa học hữu cơ kim loại) với một lò phản ứng đã được chỉnh sửa. Các thông số khác nhau của các MQW này đã được thu thập. Kết quả với và không có dòng đẩy alkyl được so sánh. Các hiện tượng vật lý liên quan được thảo luận.
Từ khóa
#GaAs #giếng lượng tử #MOCVD #tán xạ Raman #phát quang quang học #kính hiển vi điện tử truyền xuyênTài liệu tham khảo
R. L. Messham, Westinghouse Corporation, internal report, 1989.
Z. C. Feng, P. Perkowitz, D. K. Kinell and R. L. Whitney, Phys. Rev. B47, 13466 (1993)
D. C. Bertolet, J. K. Hsu and K. M. Lau, J. Appl. Phys. 62, 120 (1987).
E. V. K. Rao, F. Alexandre, J. M. Masson, M. Allovon and L. Goldstein, J. Appl. Phys. 57, 503 (1985).
R. L. Greene and K. K. Bajaj, Solid State Commun. 45, 831 (1983).
T. Hayakawa, T. Suyama, K. Takahashi, M. Kondo, S. Yamamoto, S. Yano and T. Hijikata, Appl. Phys. Lett. 47, 952 (1985).
C. Bosio, J. L. Staehli, M. Guzzi, G. Burri and R. A. Logan, Phys. Rev. B38, 3263 (1988).
A. Adachi, J. Appl. Phys. 58, R1 (1985).
D. C. Reynolds, K. K. Bajaj, C. W. Litton, P. W. Yu, J. Singh, W. T. Masselink, R. Fisher and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 46, 51 (1985).