Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Khắc Etch Bằng Ion Hỗ Trợ Hóa Học Của Các Phim Mỏng PZT, PLZT Và LiTaO3 Được Chuẩn Bị Từ Sol-Gel Để Tích Hợp Thiết Bị Dựa Trên Silicon
Tóm tắt
Khảo sát quá trình khắc hóa học ướt, khắc ion phản ứng và khắc ion-beam phản ứng của PZT (54/46) [Pb(Zr, Ti)O3], PZT được dop bằng Lanthanum [PLZT (9/65/35)] và LiTaO3. Phương pháp khắc hóa học ướt sử dụng dung dịch HCl-HF, khắc bằng ion phản ứng sử dụng plasma SF6 và khắc ion-beam hỗ trợ hóa học (CAIBE) sử dụng plasma xenon và khí phản ứng chlorine. Tốc độ khắc cho từng phương pháp đã được xác định và khả năng định kiểu các đặc trưng nhỏ trong vật liệu ferroelectric mỏng đã được khảo sát. Kết quả cho thấy rằng đối với các cấu trúc nhỏ hơn khoảng 20 x 20 µm2, khắc bằng ion-beam được hỗ trợ hóa học mang lại kết quả tốt nhất. Các cấu trúc tụ điện 3x3 µm2 và đường dẫn sóng quang 2 µm rộng trong PZT, PLZT đã được chế tạo thành công sử dụng hệ thống CAIBE. Một thiết bị theo dõi độ sâu khắc đã cho phép theo dõi chính xác tốc độ khắc in-situ của các phim mỏng PLZT và PZT.
Từ khóa
#Khắc ion phản ứng #khắc hóa học ướt #phim mỏng PZT #PLZT #LiTaO3 #tích hợp thiết bị silicon #tốc độ khắc #caibeTài liệu tham khảo
C. Ye, T. Tamagawa, and D.L. Polla, J. Appl. Phys., 70, 5538, 1991
S.L. Swartz, S.J. Bright, P.J. Melling, and T.R. Shrout, Ferroelectrics, 108, 71, (1990)
J. Choi, PhD Thesis, GaAs Microsensors, University of Minnesota, Dept. of EE, 1990
P.F. Baude, C. Ye, T, Tamagawa, and D.L. Polla, J. Appl. Phys., 73, 7960 (1993)
P.F. Baude, MSEE Thesis, University of Minnesota, Dept. of EE, June 1993
M.R. Poor and C.B. Fleddermann, J. Appl. Phys. 70, 3385 (1991)
W. Pan, D. P. Vijay and S.B. Desu, Presented at the 1993 Spring MRS Meeting, San Francisco, CA
P. Baude, C. Ye, T. Tamagawa, and D.L. Polla, Proceedings of the Fall 1992 MRS Meeting, 1992, Boston MA, (1993)