Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Khắc Etch ION Hỗ Trợ Hóa Học của Tungsten sử dụng ClF3
Tóm tắt
Một kỹ thuật khắc etch ion hỗ trợ hóa học (CAIBE) được mô tả, sử dụng chùm ion từ nguồn ion bắn phá điện tử và một luồng trung hòa CIF3 được định hướng. Kỹ thuật này cho phép khắc các tấm và phim tungsten dày hơn 40 µm với độ đồng nhất và định nghĩa mẫu tốt trên các khu vực 5 mm2 và với mức độ chọn lọc cao. Các tấm tungsten (100) được khắc bằng quy trình này thể hiện sự khắc theo định hướng ưa thích, trong khi các phim tungsten đa tinh thể cho thấy tỷ lệ khắc cao khoảng 80% so với tungsten định hướng (100).
Từ khóa
#khắc etch ion #tungsten #ClF3 #công nghệ khắc #độ chọn lọc caoTài liệu tham khảo
M. S. Schattenburg, I. Plotnik, and H. I. Smith, J. Vac. Sci. Technol. B 3 (1) 272 (1985).
C. C. Tang, D. W. Hess, J. Electrochem. Soc. 131 (1), 115 (1984).
J. N. Randall and J. C. Wolfe, Appl. Phys. Lett. 39 (9), 742 (1981).
R. Kumar, C. Ladas, and G. Hudson, Solid State Technol. 19, 54 (1976).
J. N. Randall and J. C. Wolfe, Appl. Phys. Lett. 41, 247 (1982).
L. M. Ephroth and R. S. Bennett, Microcircuit Eng. 83, 389 (1983).
N. N. Efremow, M. W. Geis, R. W. Mounting, G. A. Lincoln, J. N. Randall, and N. P. Economore, J. Vac. Sci. Technol. B 4 (1), 337 (1986).
J. D. Chinn, A. Fernandez, I. Adesida, and E. D. Wolf, J. Vac. Sci. Technol. A 2 (2), 701 (1983).
H. F. Winters and J. W. Coburn, J. Vac. Sci. Technol. B 3 (1), 9 (1985).
H. F. Winters and J. W. Coburn, J. Vac. Sci. Technol. A 3 (5), 1376 (1985).
H. F. Winters, J. Vac. Sci. Technol. A 3 (3), 700 (1985).
G. Aston, H. R. Kaufman and P. S. Wilburn, AIAA Journal 16 (5), 516 (1978).