Phương pháp Lắng đọng Hơi Hóa học của các Phim Mỏng Oxit Đồng

Springer Science and Business Media LLC - Tập 250 - Trang 291-296 - 1991
Yuneng Chang1, Glenn L. Schrader1
1Department of Chemical Engineering, Center for Interfacial Materials and Crystallization, Ames

Tóm tắt

Các phim oxit đồng đã được chuẩn bị bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học hữu cơ của đồng acetylacetonat trong môi trường giàu oxy. Các phim này đã được đặc trưng hóa bằng phương pháp nhiễu xạ tia X, quang phổ electron Auger, quang phổ điện tử tia X, và kính hiển vi quét electron. Tại 360°C, các phim Cu2O hình thành với áp suất oxy là 150 torr và áp suất hơi đồng acetylacetonat là 0.2 torr. Phim Cu2O là poly tinh thể, nhưng hướng tinh thể chủ yếu là [111]. Phân tích nhiệt vi sai cho thấy O2 hỗ trợ quá trình phân hủy của tiền chất hữu cơ kim loại trong quá trình nhiệt phân.

Từ khóa

#copper oxide #chemical vapor deposition #Cu2O #thin films #organometallic precursor

Tài liệu tham khảo

W. M. Sears and E. Fortin, Thin Solid Films, 103, 303 (1983). S. Nakahara, Thin Solid Films, 102, 345 (1983). H. S. Potda and A. Mitra, Solar Energy Matl., 4, 291 (1981). G. Beensh-Marchwicka and M. Slaby, Thin Solid Films, 88, 33 (1982). O. B. Ajayi, H. S. Akanni, and J. N. Lambi, Thin Solid Films, 185, 123 (1990). D. N. Armitage, N. I. Dunhill, R. H. West, and J. O. Williams, J. Cryst. Growth, 108, 683 (1991). V. D. Castro, Appl. Surf. Sci., 28, 270 (1987). M. M. Jones, Inorg. Chem., 1, 166 (1962).